ST日前發佈了256Mbit的NOR型快閃記憶體晶片,該元件採用已建構的每單元(cell)2位元架構,能在更小的裸晶尺寸中強化記憶體密度。ST的M30L0R8000x0是2位元/cell系列的首款元件,目前ST也正在研發128Mbit與512Mbit的晶片。
這款256Mbit的快閃記憶體是專為執行高效能程式碼與數據儲存所設計,特別是新一代3G行動電話市場,這類產品日趨複雜的應用以及多功能特性,都要求在更小的實體尺寸中整合更多記憶體。而2位元/cell技術的效能則能使記憶體晶片陣列的容量加倍,從而大幅減少裸晶與封裝尺寸。
M30L0R8000x0採用ST先進的0.13微米製程技術,並使用精巧的晶片TFBGA封裝,尺寸僅8x10mm。該元件可操作在1.8V供給電源下,並適用於3V I/O,其低功耗特性相常適合新一代行動電話的設計。在行動電話產業中,ST是記憶體──特別是1.8V NOR型快閃記憶體的主要供應商,新元件將強化ST在行動應用領域的產品完整性。
ST同時是多晶片封裝(Multi-Chip Package,MCP)元件供應商,能將多種不同的記憶體整合在單一封裝中,以改善可靠度並節省佔位面積。另外,針對3G手機,新晶片也能與PSRAM與LPSDRAM等產品整合使用。