GLOBALFOUNDRIES日前宣佈，其劃時代的新技術將可為新一代的行動與消費性應用實現 3D 晶片堆疊。該公司位於紐約薩拉托加郡的晶圓 8 廠已安裝一套特殊生產工具，可在半導體晶圓上建立矽穿孔 (TSV) 技術，作業於其最頂尖的 20奈米技術平台上。 TSV 功能允許客戶將多個晶片垂直堆疊，為未來電子裝置的嚴苛需求開創出一條新的道路。

TSV 的本質是在矽上以蝕刻方式垂直鑽孔，再以銅填滿，使垂直堆疊的整合式電路間得以進行通訊。 例如，該技術允許電路設計師將記憶體晶片的堆疊放置在應用程式處理器之上，大幅提升記憶體頻寬及降低耗電量。而這也是新一代行動裝置，如智慧型手機及平板電腦設計師所面臨到的最大難題。

在頂尖的節點中採用 3D 整合式電路堆疊，逐漸被視為一種替代方案，可用以調整在電晶體上的傳統技術節點。 然而，引進新的封裝技術後，晶片封裝的相互作用複雜性也大幅提升，代工廠與合作夥伴在提供端對端的解決方案時，也較不易滿足多元的頂尖設計需求。

GLOBALFOUNDRIES 技術長 Gregg Bartlett 表示：「為了協助解決這些新矽節點上的挑戰， GLOBALFOUNDRIES 率先與合作夥伴共同開發封裝解決方案，這將在業界引領一波創新。 我們採用多元合作的方式，為客戶提供最大的選擇與彈性，同時節省成本、縮短量產時間，並降低開發新科技的技術風險。在晶圓 8 廠內，為 20奈米技術導入TSV 功能，不但為 GLOBALFOUNDRIES 挹注了關鍵性的能力，更可結合整個半導體生態系統中的設計至組裝測試公司，建立共同開發與製造的合夥關係。」

GLOBALFOUNDRIES 的新晶圓 8 廠稱得上是全球技術最先進的晶圓廠，也是美國最大、最頂尖的半導體代工廠。該工廠聚焦於 32/28奈米及以下的頂尖製程，而 20奈米的技術開發目前正順利進行中。第一個採用 TSV 的全流式矽 (full-flow silicon) 預計將於今年第 3 季在晶圓 8 廠內開始運作。