帳號:
密碼:
最新動態
 
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
Vishay推出可提供 3300μF電容的鉭電容器
 

【CTIMES/SmartAuto 陳盈佑報導】   2005年10月20日 星期四

瀏覽人次:【1056】

Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出首款在濃度僅為 2.5 毫米的封裝中可提供 3300μF電容的鉭電容器,從而提供了取代在超薄應用中使用多個低值電容器來實現充足電容這一做法的解決方案。

採用X封裝尺寸的Vishay Sprague 592D共形敷膜(CONFORMAL-COATED)固體鉭電容器主要面向PCMCIA卡、電源、線卡及手機等終端產品中的噪聲抑制、濾波、耦合及定時應用。

新型592D電容器使用戶無需並行使用多個電容器來滿足高電容及超薄要求,並可幫助設計人員在利用板面空間過程中降低成本以及提升效率,從而實現更可靠且成本更低的消費產品。

採用X封裝尺寸的 592D器件具有4V及6.3V的額定電壓以及1000μF、1500μF、2200μF及 3300μF的電容值。它們具有超低的最大 ESR 範圍,其中包括對于 3300μF 型號,在 +25°C 及100kHz 時為 0.055 歐姆。

整個592D系列的 TANTAMOUNT共形敷膜固體鉭電容器的電容范圍為 1μF至3300μF,濃度介於1.0毫米至2.5毫米,額定電壓範圍為 4V~35V。它們的額定工作溫度範圍介於55°C至+85°C,或者在施加降額電壓時可高達+125°C,這些器件均採用帶盤式包裝。

關鍵字: 電容器  電源元件 
相關產品
新唐推出Arm Keil MDK Nuvoton Edition可大幅提升開發者效率
Power Integrations推1700V氮化鎵切換開關IC
瑞薩全新RA8 MCU系列將Arm Cortex-M85處理器高效引入成本敏感應用
Pilz開放式模組化工業電腦適用於自動化及傳動技術
Flex Power Modules為AI資料中心提供高功率密度 IBC 系列
  相關新聞
» 巴斯夫與Fraunhofer研究所共慶 合作研發半導體產業創新方案10年
» 工研院IEK眺望2025:半導體受AI終端驅動產值達6兆元
» SEMI提4大方針增台灣再生能源競爭力 加強半導體永續硬實力
» ASML助晶圓代工簡化工序 2025年每晶圓用電降30~35%
» 機械公會百餘會員續挺半導體 SEMICON共設精密機械專區
  相關文章
» 未來無所不在的AI架構導向邊緣和雲端 逐步走向統一與可擴展
» 延續後段製程微縮 先進導線採用石墨烯與金屬的異質結構
» 提升供應鏈彈性管理 應對突發事件的挑戰和衝擊
» 專利辯論
» 碳化矽基板及磊晶成長領域 環球晶布局掌握關鍵技術

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8B6073PWSSTACUKE
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw