Vishay宣佈推出採用業界標準Int-A-Pak封裝的新系列半橋絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)。該系列由八個600V及1200V器件組成，這些器件採用多種技術，可在標準及超快速度下實現高開關工作頻率。

Vishay推出新系列半橋絕緣柵雙極型電晶體

此推出的八款新器件採用可滿足各種應用需求的三種不同IGBT技術。GA100TS60SFPbF與 GA200HS60S1PbF採用標準穿通(PT)IGBT技術，而GA200TS60UpbF、GA75TS120UpbF及GA100TS120UPbF 器件採用可實現更緊參數分佈及高效率的第4代技術。GB100TS60NPbF、GB150TS60NPbF及 GB200TS60NPbF模組採用第5代非穿通(NPT)技術，可實現10µs 短路功能的額外優勢。

GA100TS60SFPbF與GA200HS60S1PbF是專為高達1kHz硬開關工作頻率而優化的標準速度器件。其他六個IGBT是與用於橋配置的HEXFRED超軟恢復反並聯二極體共同封裝的超快速模組。這些超快速器件可在硬開關中實現8kHz～60kHz的高工作頻率，在共振模式下可實現200kHz以上的工作頻率。

Vishay新型IGBT系列具有75A～200A的高額定電流及低功耗，該系列器件專為高頻工業焊接、UPS、SMPS、太陽能轉換器及電動機驅動應用中的隔離與非隔離轉換器、開關、逆變器及斬波器而進行了優化。對於輸出逆變器TIG焊機應用，這些IGBT在額定電流時提供了當前市場上“S”系列模組中最低的Vce(on)。

這些新型IGBT無鉛(Pb)，並且可輕鬆地直接安裝到散熱片上。這些器件具有低EMI，可減少緩衝，並可提供超低的結到外殼熱阻。