豐田合成GaN基板技術獲突破 功率元件性能大幅提升

豐田合成株式會社近日宣布，其提升氮化鎵(GaN)基板性能的技術已獲得驗證，能有效改善功率元件性能。相關研究成果已發表於國際固態物理學期刊。

更優異的功率元件在電力調節方面扮演關鍵角色，對於減少社會碳排放至關重要。將功率元件的材料從矽轉換為氮化鎵，可節省90%的能源，並實現性能更佳的元件，而這需要量產更大、品質更高的GaN基板。

日本環境省正在主導一項廣泛應用 GaN功率元件的項目，豐田合成則提供技術以獲得理想的GaN晶體。該項目的一項成果是，使用豐田合成與大阪大學共同開發的 GaN種晶所製造的 GaN基板，功率元件性能得到顯著提升。與使用市售基板製造的功率元件相比，使用這些 GaN基板的功率元件在功率調節能力和良率方面均表現更佳。
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