英飛凌：氮化鎵將重塑電力電子 2030年市場上看30億美元

根據英飛凌科技近期發布的《2026年GaN技術展望》，氮化鎵（GaN）正快速從新興材料轉變為主流功率半導體技術，推動電力電子產業進入高效率、高功率密度與小型化的新階段。產業分析顯示，全球GaN功率半導體市場預計在2030年達到約30億美元，2025至2030年間的年複合成長率（CAGR）高達44%，顯示市場正處於高速擴張期。

圖一 : 氮化鎵在2030年市場規模上看30億美元

英飛凌在報告中指出，GaN應用已開始在市場落地，並在多個產業獲得關注。整體而言，GaN的快速成長主要來自兩大趨勢：一是大規模產能擴張降低成本門檻，二是高效率電源需求在AI、電動車與再生能源領域持續攀升。

從技術角度來看，GaN之所以被視為下一世代功率半導體關鍵材料，在於其物理特性優於傳統矽（Si）。GaN具備更高的電子遷移率與臨界電場強度，能在更高開關頻率下運作，同時降低導通與開關損耗。這意味著電源系統可設計得更小、更輕、更高效，有助於節能減碳並提升系統整體效能。
...
...

使用者別	新聞閱讀限制	文章閱讀限制	出版品優惠
一般使用者	10則/每30天	0則/每30天	付費下載
VIP會員	無限制	25則/每30天	付費下載