SK hynix：HBM將朝更高層數、更大容量與更低功耗方向演進

SK hynix 發布 2026 年市場展望，指出隨著生成式 AI、資料中心與HPC需求持續升溫，以 HBM（高頻寬記憶體）為核心的先進記憶體產品，將成為驅動產業成長的關鍵動能，並有機會引領新一波AI記憶體超週期。

圖一 : SK hynix認為HBM將朝更高層數、更大容量與更低功耗方向演進。

SK hynix 指出，AI 模型規模快速擴張，對於記憶體頻寬、容量與能效的要求大幅提高，傳統 DRAM 已難以滿足需求，使 HBM 在 AI 加速器與伺服器平台中的重要性顯著提升。特別是在大型語言模型訓練與推論應用中，HBM 能有效縮短資料存取時間、提升整體系統效能，已成為 GPU 與 AI 專用晶片不可或缺的關鍵元件。

展望 2026 年，SK hynix 預期 HBM 將持續朝向更高堆疊層數、更大容量與更低功耗方向演進，並與先進封裝技術深度整合，以支援下一代 AI 平台的運算需求。公司也強調，AI 應用的普及不僅推升高階 HBM 需求，同時也將帶動整體 DRAM 與 NAND 市場結構轉變，使產品組合朝高附加價值發展。
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