日前舉行的2026年國際光學工程學會（SPIE）先進微影成形技術會議（Advanced Lithography + Patterning Conference）上，比利時微電子研究中心（imec）展示在EUV微影曝光後步驟精準控制氣體成分有助於盡量減少所需的曝光阻劑，進而推動晶圓產量增加。其中，在更高的氧氣濃度下進行EUV曝光後烘烤步驟持續展現更佳的金屬氧化物阻劑（MOR）劑量反應。

圖一

MOR漸漸成為先進EUV微影應用的主要技術，提供勝過化學放大阻劑（chemically amplified resist）的超高解析度、更低的導線邊緣粗糙度，以及製出額定線寬尺寸的更低EUV阻劑量（dose-to-size）。這些阻劑展現更佳的小特徵圖形與光阻薄膜轉移能力，因而成為最高解析度金屬層的潛力方案，這些元件層曝光時採用High-NA EUV微影製程。如今，imec展示在EUV微影曝光後烘烤步驟把氧氣濃度增加到大氣含量以上就能進一步改良MOR的劑量反應，其中，曝光後烘烤是EUV光阻曝光之後與顯影之前的關鍵熱處理步驟。

imec資深技術研究員Ivan Pollentier表示：「我們發現在曝光後烘烤時，把氧氣濃度從大氣含氧量的21%增加到50%能夠提高15-20%的光反應速度。在模型使用的MOR和商用MOR材料都能觀察到這項趨勢。此次成果首次顯示在關鍵微影步驟仔細控制氣體成分可以顯著減少所需的EUV曝光劑量，直接提高EUV曝光機的產量，並減少製程成本。這只是BEFORCE工具的首批成果：經過調控的氣體成分提供一種附加途徑來研究環境對MOR材料微影變異性產生影響的成因。儀器製造商可以參考這些研究見解來調適自家的製程工具，以改良EUV微影的產量與穩定性。」
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