長期以來，晶圓在多層堆疊過程中，表面會產生細微的起伏，這會導致光學曝光時出現失焦，進而造成電路缺陷。傳統上，業界依賴化學機械研磨（CMP）來磨平晶圓，但隨著製程邁向 2 奈米甚至更深層，CMP 的精度已逐漸遇到瓶頸。除了追求更精細的線寬，如何克服晶圓表面的「凹凸不平」已成為提升良率的關鍵。

Canon 發表噴墨式自適應平坦化（Inkjet Adaptive Flattening, IAP）技術。結合了在奈米壓印（Nanoimprint Lithography, NIL）領域的專長，利用精密噴墨頭在晶圓凹陷處精準滴下極微量的樹脂材料。這就像是在顛簸的道路上精準填補坑洞，而非將整條路磨平。這種增量式的平坦化技術，能讓晶圓表面達到接近原子級別的平滑度。

這項技術最重要的戰略意義在於其對製程成本的優化。目前的先進製程極度依賴售價動輒數億美元的 ASML EUV 曝光機，且運作成本極高。Canon 宣稱，透過 IAP 技術與奈米壓印設備的配合，半導體廠可以在不使用高昂光學透鏡系統的情況下，製造出複雜的三維電路結構。
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