2003年12月，半导体微影技术，正式进入另一个技术领域。在此之前，我还以为微影技术仍会照着ITRS（国际半导体技术蓝图）的原先蓝图进展，混然未察觉的是，在这个微寒的冬季，科技有又有重大的进展：「浸润式微影技术」（Immersion Lithography）隆重登场。

微影技术的发展，一直以来都象征着制程的进步、线宽能否再微缩化等等内容，在半导体产业里具有重大的指针意义。针对65奈米以下光罩制作，浸润式微影技术的出现，也代表着旧式制程已渐渐欲振乏力，需要新式技术来解决制作问题。（相较于业界现有的193奈米的曝光机，需搭配特殊光罩组件，才能支持 65奈米制程。）

然而浸润式微影技术之所以受到产业界重大的关注，除了纳入ITRS外，台积电力拱该微影技术，更使得该技术受到媒体大众的注意。台积电为推动浸润式微影技术，这二年多以来努力推广该技术的可行性，主要是因为台积电的研发结果发现，将193奈米微影设备加入浸润功能后，无需更换193奈米所需之光阻材料，分辨率即可产出超过157微影设备的等效波长，达到132奈米设备等级的等效波长。

当然，2003年的12月，并不只有世界第一大晶圆代工厂在极力鼓吹浸润式微影技术，显影设备供货商也在同月里有了跟进动作。日商Nikon与ASML等公司决定，将于2004年1月公布浸润式扫描仪之方案；2006年以前，联合推出浸入式微影工具。ASML已于日本半导体设备展SEMICON Japan中，宣布最新研发之193奈米浸润式显影设备雏型机，已获得一家客户订单，预计明年第三季交货。Nikon则于2004年下半年，提供用于浸入式微影评估之Alpha机。

如此看来，未来的半导体圈，将是浸润式微影技术的天下了！其实不然，在此同时，另一技术也悄悄抬头－「奈米压印式微影技术」（Nano-Imprint Lithography）。目前参与研发奈米压印式微影工具的业者，包括EV Group、MII、Nanonex、Obducat等，其中的MII（Molecular Imprints）表示，奈米压印式技术已被纳入2003版的ITRS蓝图之32奈米，预计32奈米于2009年的时间表内推出。目前与MII合作的策略伙伴，包括Lam Research、KLA-Tencor、Motorola、DARPA等大厂，显示该技术十分被看好。

反观同月份里，另一家晶圆代工厂联电的最新进展，联电宣布使用无铬膜相位移光罩（Cr-less PSM）微影技术，并表示已运用在90奈米制程中，未来将导入该光罩技术以及193nm光学扫描机，以促成65奈米制程研发。

2003年的12月，已成为半导体产业重大技术的转戾点，不论是浸润式或者奈米压印式微影技术在未来将成为市场主流，在二者技术的带动下，未来晶圆厂微影设备都将进行大更新，对产业而言，如此的大动作，将是新商机、新契机。至于技术已稍嫌落后的业者，也要加把劲，毕竟对外已打出口号，再不努力便会落于人后了。