英特尔首次详尽揭露其制程与封装技术的最新路线规划，并宣布一系列基础创新，为2025年及其之后的产品注入动力。除了首次发表全新电晶体架构RibbonFET外，尚有称作PowerVia之业界首款背部供电的方案。英特尔亦强调迅速转往下一世代EUV工具的计画，称之为高数值孔径（High NA）EUV。英特尔有望获得业界首款High NA EUV量产工具。

英特尔揭晓制程与封装创新路线规划，为2025年及其之后的下一波产品注入动力。

产业早已意识到，目前以奈米为基础的制程节点命名方式，并不符合自1997年起采用闸极长度为准的传统。英特尔公布其制程节点全新的命名结构，创造清晰并具备一致性的架构，给予客户更为精确的制程节点认知。随着英特尔成立Intel Foundry Services，这种重要性更胜以往。英特尔所揭晓的各种创新，不仅开展了英特尔的产品路线规划，它们对于晶圆代工的客户也相当重要。

英特尔技术专家们以新的节点命名方式，详述下列未来制程与效能蓝图规划，以及各节点所具备的创新技术：

‧Intel 7：植基于FinFET（鳍式场效电晶体）最佳化，相较Intel 10nm SuperFin每瓦效能可提升大约10％～15％。 Intel 7将会使用在2021年的Alder Lake用户端产品，以及2022年第一季量产的Sapphire Rapids资料中心产品。

‧Intel 4：全面使用极紫外光（EUV）微影技术，透过超短波长的光，印制极小的形状。伴随每瓦效能提升约20％，以及面积改进，Intel 4将于2022下半年准备量产，2023年开始出货，client用户端Meteor Lake和资料中心Granite Rapids将率先采用。

‧Intel 3：进一步汲取FinFET最佳化优势与提升EUV使用比例，以及更多的面积改进，Intel 3相较Intel 4约能够提供18％的每瓦效能成长幅度。 Intel 3将于2023下半年准备开始生产。

‧Intel 20A：以RibbonFET和PowerVia这2个突破性技术开创埃米（angstrom）时代。 RibbonFET为英特尔环绕式闸极（Gate All Around）电晶体的实作成果，亦将是自2011年推出FinFET后，首次全新电晶体架构。此技术于较小的面积当中堆叠多个鳍片，于相同的驱动电流提供更快的电晶体开关速度。 PowerVia为英特尔独特、业界首次实作的背部供电，藉由移除晶圆正面供电所需回路，以达最佳化讯号传递工作。 Intel 20A预计将于2024年逐步量产。英特尔也很高兴公布Qualcomm将采用Intel 20A制程技术。

‧2025与未来：Intel 20A之后，改良自RibbonFET的Intel 18A已进入开发阶段，预计于2025年初问世，将为电晶体带来另一次的重大性能提升。英特尔也正在定义、建立与布署下一世代的EUV工具，称之为高数值孔径EUV，并有望获得业界首套量产工具。英特尔正与ASML紧密合作，确保这项业界突破技术能够成功超越当代EUV。

英特尔拥有基础制程创新的悠久历史，推动产业前进并破除限制。在90奈米领衔转换至应变矽，于45奈米采用高介电常数金属闸极，于22奈米导入鳍式场效电晶体，Intel 20A将会是另外一个制程技术的分水岭，提供2个突破性创新：RibbonFET和PowerVia。

英特尔新的IDM 2.0策略，对于实现摩尔定律优势而言，封装变得越来越重要。英特尔宣布AWS将是第一个采用IFS封装解决方案的客户，并同步提供下列先进封装蓝图规划的远见。

‧EMIB：自2017年产品出货开始，以首款2.5D嵌入式桥接解决方案持续引领产业。 Sapphire Rapids将会是首款量产出货，具备EMIB (embedded multi-die interconnect bridge) 的Intel Xeon资料中心产品。它也会是业界首款具备4个方块晶片的装置，提供等同于单一晶片设计的效能。 Sapphire Rapids之后，下一世代的EMIB将从55微米凸点间距降至45微米。

‧Foveros：汲取晶圆级封装能力优势，提供首款3D堆叠解决方案。 Meteor Lake将会是Foveros在client用户端产品实作的第二世代，其具备36微米凸点间距，晶片块横跨多种制程节点，热设计功耗从5至125瓦。

‧Foveros Omni：采用晶片与晶片连结与模组化设计，提供不受限的灵活高效能3D堆叠技术。 Foveros Omni允许混合多个顶层晶片块与多个基底晶片块，以及横跨多种晶圆厂节点的分拆晶片（die disaggregation）设计，预计将于2023年准备大量生产。

‧Foveros Direct：为降低互连电阻，改采直接铜对铜接合技术，模糊了晶圆制造终点与封装起点的界线。 Foveros Direct能够达成低于10微米的凸点间距，提升3D堆叠一个量级的互连密度，为原先被认为无法达成的功能性晶片分割开启新页。 Foveros Direct是Foveros Omni的补充技术，同样预计于2023年问世。