意法半导体（STMicroelectronics；ST）和MACOM已成功制造出射频矽基氮化??（RF GaN-on-Si）原型晶片。意法半导体与MACOM将继续合作，并加强双方的合作关系。

射频矽基氮化??为5G和6G基础建设之应用带来巨大的发展潜力。早期世代的射频功率放大器（Power Amplifier，PA）主要采用横向扩散金属氧化物半导体（Laterally-Diffused Metal-Oxide Semiconductor，LDMOS）射频功率技术，氮化??（GaN）可为射频功率放大器带来更优异的射频特性及更高的输出功率，而且GaN可以制造在矽晶圆或碳化矽（SiC）晶圆上。然而，在高功率应用与射频矽基氮化??对SiC晶圆的竞争下，加上其非主流的半导体制程，射频矽基氮化??的成本可能更高。意法半导体和MACOM正在研发的射频矽基氮化??技术有??提供具有竞争力的性能，透过整合至标准半导体制程中以实现巨大规模的经济效益。

意法半导体制造的原型晶片和元件已成功达到成本和性能目标，能够与市面上现有的LDMOS和GaN-on-SiC技术有效竞争，并且即将进入下个重要阶段认证测试与商业化，此为，意法半导体计画将於2022年达成此一里程碑。因取得这次傲人的进展，意法半导体与MACOM已开始讨论进一步扩大研发，加速先进射频矽基氮化??产品上市。

意法半导体功率电晶体子产品部总经理暨执行??总裁Edoardo Merli表示，「我们相信该技术的性能等级与制程之成熟度现在已经能与LDMOS及射频碳化矽基氮化??竞争，并且为无线基础建设等大规模应用带来成本效益与供应链之优势。射频矽基氮化??产品的商业化是我们与MACOM合作的下一个重要目标，随着合作专案持续进行，我们期待能充分开拓此技术的潜力。」

MACOM总裁暨执行长Stephen G. Daly则表示，「我们在推动矽基氮化??技术商业化及量产持续取得良好的进展。与意法半导体的合作是我们射频功率策略的重点，相信可以透过矽基氮化??技术满足技术要求的目标应用领域以获得更高市占率。」