据工商时报报导，由于闪存（Flash）毛利率较DRAM高出许多，二者在制程转换上又无须太多的投资，因此继三星调拨现有DRAM产能生产NAND闪存后，美光、英飞凌、Hynix等国际大厂都已开始转移DRAM产能去生产闪存，因此模块厂创见信息董事长束崇万表示，未来DRAM供给成长将更趋缓。

该报导指出，近期DRAM价格虽然较上半年为佳，但相较于NAND闪存，毛利率仍相对较低，加上DRAM与闪存间制程相似，无须太多的投资就可直接转换，因此拥有闪存制程专利的DRAM大厂，第三季起又开始调拨DRAM产能生产闪存。

据了解，三星下半年转拨了二座八吋DRAM厂生产闪存，在预估2003年产能将较2004年成长三倍下，下半年将会再调拨2至3座8吋DRAM产能；美光、英飞凌、Hynix等三家DRAM厂，现在已经开始进行NAND闪存研发，下半年起就会陆续调拨DRAM产能生产闪存。

束崇万对此一现象指出，国际DRAM厂因近二年来未再扩充产能，且转拨DRAM产能生产闪存，DRAM总产出量自然会降低，所以未来DRAM市场供给量成长率将更为趋缓，相对于日益增强的市场需求，对DRAM市场后势并不悲观，价格也将缓步上涨，不会像过去几年一样出现严重下挫情况。