继不久前英特尔与意法半导体成立闪存公司，旺宏于2007年5月28日表示，将与全球第三大DRAM厂奇梦达（Qimonda）合作进军新世代非挥发性内存（NAND Flash）领域。

2000～2005年，NAND闪存位出货量的年复合成长率达179.6％，是DRAM年复合成长率51.2％的三倍。NAND芯片的位单价低于DRAM，但对制造商而言，获利反而更高。日前三星与Hynix这两家DRAM首要供货商，均采用NAND闪存作为90奈米制程的主要驱动力，并将DRAM厂转移生产NAND组件。NAND闪存已在竞争激烈的内存市场中脱颖而出，目前正取代DRAM、驱动着内存制程发展的蓝图。

既有的NAND芯片技术在45奈米世代将遭遇物理极限瓶颈，而目前旺宏独有的「BESONOS」，是业界认为最可行的新世代NAND芯片技术。由于旺宏垄断此技术及专利，往后除奇梦达外，任何业者想用此技术生产NAND芯片，都透过旺宏授权，并给予实际销售总额约3％的权利金。，「BESONOS」以3D架构为基础，单一芯片容量理论值可达100G。

据了解，奇梦达与旺宏的合作机制，由旺宏主导技术，奇梦达提供其他周边技术与产能服务支持。奇梦达过去曾与以色列大厂Saifun合作跨入NAND芯片领域，但因权利金太高，成本无法与一线大厂抗衡，后来采取保守策略；若与旺宏合作，权利金等问题将大幅减少，竞争力大增。