账号:
密码:
最新动态
 
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 新闻 /
松下完成采用FeRAM之系统芯片产品开发
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2003年07月11日 星期五

浏览人次:【562】

据日本经济新闻报导,松下电器产业于日前宣布该公司已研发完成0.18微米制程、采用8Kb强介电值随机存取内存(Ferroelectric RAM;FeRAM)的系统芯片产品;该产品初步将应用在IC卡、定期票券上,预计2003年12月可导入量产。

该报导指出,目前标准型内存领域以PC用DRAM及手机、数字相机用闪存为2大势力,但随着电子产品高机能化,未来内存市场将会有一番更动。DRAM等现存内存虽然亦被整合应用在家用电视游乐器、手机、PDA等产品上,但是在耗电量等方面的问题,仍无法完全克服。

FeRAM为非挥发性内存之一种,并具有高速读写、低耗能等特征。松下半导体社长古池进表示,未来FeRAM甚至有可能取代闪存或是DRAM,广泛用于手机、PDA等可携式产品上。而目前采用FeRAM的系统芯片市场规模虽仍有限,但是到2010年将扩增至6000亿日圆的规模,而松下亦预估,在2007年该事业营收将达到千亿日圆。

松下的新产品预计在年底进入量产,初期月产能约为50万颗,预计到2005年月产能将提高至100~200万颗。松下亦将持续研发相关技术,计划在2005度正式推出搭载FeRAM、具演算功能的系统芯片,将应用范围扩大至可携式产品上。

關鍵字: 系統單晶片 
相关新闻
台欧携手 布拉格论剑 晶片创新技术论坛聚焦前瞻发展
台湾易格斯斥资逾亿打造 中兴园区新厂暨亚洲技术研发中心动土
DigiKey於SPS 2024展览展示自动化品项与技术服务
ROHM的EcoSiC导入COSEL的3.5Kw输出AC-DC电源产品
中华精测AI制造实现先进测试介面创新商机
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关文章
» 使用PyANSYS探索及优化设计
» 隔离式封装的优势
» MCU新势力崛起 驱动AIoT未来关键
» 功率半导体元件的主流争霸战
» NanoEdge AI 解决方案协助嵌入式开发应用


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8B15LRZXESTACUKA
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw