据经济日报报导，由于内存业者南韩三星、海力士（Hynix）、力晶等2004年将大举调拨产能在数据存取型闪存（Data Flash），大幅减少DRAM供给，预计该缺口将逾5％，而市调机构预期，未来五年Data Flash的复合成长率将超越DRAM，产值达150亿美元规模。

该报导引述外电指出，三星2004年将调拨1万片12吋厂月产能投入Flash生产，降低DRAM投片比率；日本东芝亦计划2004年投资12吋产能扩大Flash制造。此外日本瑞萨（Renesas）也决定提高产量，与力晶合作推出0.13微米1G Flash，并在力晶12吋厂每月投产6000片。

DRAM业者表示，现阶段1Gb Flash的制造成本约为七、八美元，相当于512M DDR的成本，因供不应求，现货售价却高达35美元，存在极大的获利空间。而目前512M DDR报价仅8美元，相当贴近成本。

近期1Gb Flash报价持续飙涨，每颗达36美元，较7月份的17美元，价格暴涨逾倍。国际市调机构预期，未来五年受惠于数字相机、随身碟及手机MMC卡需求，Data Flash的复合成长率为30％到40％，2008年将超越DRAM，产值达150亿美元规模。