英特尔（Intel）技术及制造事业群（Technology & Manufacturing Group）副总Stefan Lai，日前在参加一场科技论坛时指出，若业者能顺利进阶到45奈米以下制程，NAND型及ETOX型闪存（Flash）至少可继续维持5年荣景。而由于NAND型Flash持续缺货，一家名为Nanochip的新创业者研发出采用微机电系统（MEMS）的储存装置，以做为储存装置的解决的替代解决方案。

网站Silicon Strategies引述Stefan Lai看法表示，NAND型及ETOX型Flash已经历经八代的演变，每一代的体积都有效缩小了50％，若半导体制程推进到65及45奈米仍能顺利量产，则NAND型仍是5年内非挥发性内存的主流。而目前相位转换内存（Phase Change Memory）、铁电聚合物内存（Ferroelectric）有机会取代NAND型Flash，而MRAM、非聚合物铁电内存（FRAM）的机会较小。

英特尔认为MRAM及FRAM没有竞争力，在MRAM上，储存速度虽然可以追上SRAM，但MRAM与Flash不同，结构上必须使用晶体管，而不像Flash使用二极管，两者会在体积上造成极大差异。此外，在内存的发展上，储存密度将受到微影设备的影响，因此英特尔看好聚合物类的内存。

此外，因为NAND型Flash全球性缺货，厂商纷纷寻求可替代Flash的产品；一家名为Nanochip的新公司研发出采用MEMS技术的储存装置，并已募集了2000万美元的资金，该产品希望能用于数字相机、MP3随身听、手机、PDA等可携式产品中，未来每平方英吋的产品可以储存1Terabit（1000Gbit），并可以抹写10亿次以上。