账号:
密码:
最新动态
 
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 新闻 /
丰田合成GaN基板技术获突破 功率元件性能大幅提升
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2025年01月08日 星期三

浏览人次:【344】

丰田合成株式会社近日宣布,其提升氮化??(GaN)基板性能的技术已获得验证,能有效改善功率元件性能。相关研究成果已发表於国际固态物理学期刊。

更优异的功率元件在电力调节方面扮演关键角色,对於减少社会碳排放至关重要。将功率元件的材料从矽转换为氮化??,可节省90%的能源,并实现性能更隹的元件,而这需要量产更大、品质更高的GaN基板。

日本环境省正在主导一项广泛应用 GaN功率元件的项目,丰田合成则提供技术以获得理想的GaN晶体。该项目的一项成果是,使用丰田合成与大阪大学共同开发的 GaN种晶所制造的 GaN基板,功率元件性能得到显着提升。与使用市售基板制造的功率元件相比,使用这些 GaN基板的功率元件在功率调节能力和良率方面均表现更隹。

丰田合成将继续与政府、大学和其他企业合作,加速推广高品质 GaN基板的应用,为实现节能减碳贡献力量。

關鍵字: GaN 
相关新闻
贸泽电子、ADI和Bourns合作出版全新电子书 探索电力电子装置基於GaN的优势
德州仪器扩大氮化??半导体内部制造作业 将自有产能提升至四倍
格棋化合物半导体中坜新厂落成 携手中科院强化高频通讯技术
ASM双腔体碳化矽磊晶平台 满足先进碳化矽功率元件领域需求
ROHM与UAES签署SiC功率元件长期供货协议
相关讨论
  相关文章
» 双臂协作机器人多元应用与创新商业模式
» 在边缘部署单对乙太网
» Microchip Switchtec PCIe® Switches工程人员开发及管理的好帮手
» 半镶嵌金属化:後段制程的转折点?
» 汽车微控制器技术为下一代车辆带来全新突破


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2025 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK91A15EPUUSTACUKU
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw