据Digitimes报导，全球半导体制程蓝图制定委员会（International Technology Roadmap for Semiconductors；ITRS）台湾代表卢志远指出，台积电主导的65奈米以下光罩制作之浸润式微影技术（Immersion Lithography），将与无线IC制程一同列入此次ITRS蓝图中；另外，由于技术难度增高等因素影响，卢志远表示半导体制程时代自2003年开始，又将恢复3年1个世代的周期。

卢志远在2003年ITRS会前记者会中表示，半导体制程将自2004年起进入90奈米时代，而在台积电的大力推动下，针对65奈米半导体制程光罩制作提出的Immersion Lithography技术，此次将列入ITRS蓝图编定，ITRS估计，65奈米半导体制程将在2007年成为半导体制程主流，但2010年进入50奈米半导体制程时代后，微缩技术将面临瓶项。

另外，由于硅半导体业者近年来积极发展无线IC相关制程，目前已可量产频率高达5GHz的射频IC，加上硅晶圆与硅锗晶圆（SiGe）（目前用于生产5GHz～10GHz无线IC）之间并无技术鸿沟，因此估计未来硅晶圆业者生产的无线IC将进展至10GHz的水平，这也将列入此次ITRS制程蓝图编定。

卢志远表示，1990年代半导体制程发展技术超前ITRS的进度，每世代半导体制程技术，由60年代、70年代每3年1周期缩短为2年1周期，不过在整体市场需求、技术门坎愈来愈高、业者放慢扩产动作等障碍下，估计2003年起半导体制程世代演进，将再恢复到3年1次的周期。