由恩智浦与台积电合资成立的研究中心（NXP-TSMC Research Center），日前成功开发出将先进CMOS LSI布线中所使用的材料用于MEMS组件封装的制程方法，并于美国MEMS 2008展会上展示相关技术。

该研究中心所提出的方式，是将可移动的MEMS组件封入搂空的封装制程中，并使用先进LSI布线层中使用的low-k材料。类似将MEMS组件旧有的封装制程向现有CMOS制程拉近。目前这种制程可使用台积电的生产线进行制造。

将low-k材料应用于先进LSI设计，是为了利用其低介电的特性，抑制层间的结合，进而达成高速传输的目的。而应用于MEMS封装时，则是利用多孔特性。基本上是将多孔特性应用于蚀刻。一般来说，MEMS组件的封装是在MEMS周围形成空间。在空间上设置覆盖层、以覆盖所形成的蚀刻层，并对蚀刻层进行蚀刻。把多孔材料作为上述覆盖层使用的话，便可利用气相蚀刻去除蚀刻层，并达到成膜与气密封装。

气相蚀刻过程中使用HF，多孔材料的蚀刻速度仅每分钟0.14nm。因此，蚀刻层的二氧化硅对多孔材料具有充分的选择性。例如，多孔的密度仅有7％的话，气密封装材料将无法进入空穴内部。另外，此次使用的low-k材料为美国应用材料（Applied Materials）的Black Diamond。

该研究中心计划将此封装技术应用于硅振荡器的封装。