英飛凌科技(Infineon)宣佈該公司的0.11微米DRAM產品已進入量產階段。以全新的0.11微米製程所製造的高密度256Mb DRAM樣品，不僅獲得英特爾的驗證，並已出貨予各地之策略夥伴。此全新製程技術可大幅縮小結構，減少晶片尺寸，並降低30%之單一晶片製造成本。此外，與英飛凌先前的0.14微米DRAM製程技術相比，0.11微米製程技術可將每片晶圓的晶片產出提昇50%以上。

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英飛凌營運長暨管理會委員Andreas von Zitzewitz博士表示，「英飛凌最新的256Mb DRAM是業界最小的256Mb產品。此產品結合了精密的0.11微米製程與英飛凌的專利溝槽式(trench)技術，因此，英飛凌的晶片尺寸較其他競爭者產品減少10%，卻仍能達到同樣的效能。」0.11微米新製程技術是由英飛凌位於德勒斯登的8吋晶圓廠所開發，並將在8吋及12吋的生產線中，擴大量產高密度與高速記憶體晶片。在德雷斯登擴大量產新製程的期間，英飛凌也會將這項新技術轉移予英飛凌晶圓廠叢聚(fab cluster)，包括位於美國維吉尼亞州里奇蒙的晶圓廠、與南亞合資的華亞半導體(Inotera Memories)，以及英飛凌的DRAM代工夥伴。

英飛凌是首先將193nm光學微影(lithography)技術，應用在0.11微米製程技術量產的DRAM製造商。未來更小尺寸的新世代製程技術均計劃使用同樣的光學微影技術，並將會受益於目前所得之經驗。256Mb DDR元件是首批使用0.11微米製程技術製造之產品，應用於個人電腦及伺服器。轉換至較小的製程幾何面積將有助於生產DDR2和Graphics RAM等高速記憶體晶片。此外，由於晶片尺寸縮小，因此記憶體的密度可以提升到每個晶片1Gbit。所有使用此製程生產的DRAM元件都是屬於無鉛與無鹵素材料之環保技術。