半導體光罩供應商Toppan Photomask宣布，已與IBM就使用極紫外(EUV)光刻技術的2奈米(nm)節點邏輯半導體光罩的聯合研發達成協議。該協議尚包含開發用於下一世代半導體的高NA EUV光罩。

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根據該協議，從2024年第1季起的5年內，IBM和Toppan Photomask計劃在Albany NanoTech Complex（美國紐約州奧爾巴尼）和Toppan Photomask的朝霞工廠（日本新座市）開發光罩技術。

Toppan Photomask代表取締役社長兼執行長二之宮照雄表示，與IBM的合作對兩家公司來說非常重要。這項協議將在支持半導體微型化、推動產業進步以及為日本半導體產業的發展做出貢獻等方面，發揮至關重要的作用，將致力於加速實現2nm及更高節點製程。"

IBM全球半導體研發副總裁Huiming Bu表示，利用EUV和高NA EUV光刻系統的新型光罩技術預期將在2nm及更高節點的半導體設計和製造中發揮關鍵作用。與Toppan Photomask的合作旨在透過開發新的解決方案來加速先進邏輯半導體的微型化創新，從而實現先進的代工製造能力，這是日本半導體供應鏈的關鍵部分。