力旺电子与联华电子今（28）日宣布，力旺的可变电阻式记忆体（RRAM）矽智财已通过联电22奈米超低功耗的可靠度验证，为联电的AIoT与行动通讯应用平台提供更多元的嵌入式记忆体解决方案。由於RRAM具有良好的抗磁能力，适合对於性能要求严格的汽车应用，未来双方将扩大开发车规级RRAM合作。

力旺电子提供的8Mb RRAM IP具有额外的16Kb资讯储存区块和内部修复与错误侦测/修正等关键功能，可用於IoT设备中的微控制器和智慧电源管理IC的编码储存，并可支援人工智慧（AI）的记忆体内运算架构。联电提供22奈米的0.8V/2.5V RRAM平台，使用较少的光罩层数、较短的生产周期和更容易与BCD、高压等特殊制程整合的优势。

「对40奈米、22奈米和高阶制程而言，RRAM是不可或缺的多次编程嵌入式记忆体选项。力旺的下一个RRAM开发目标是对应汽车应用需求，在22奈米 0.8V/2.5V 平台实现更高的储存密度（16Mb）、更快的速度、更高的写入温度耐受度和持续提升的覆写能力。」力旺电子技术长暨第二事业群总经理林厌源表示：「此外，我们继续推进在0.8V/1.8V ULP上的开发。凭藉其用於读取和写入模式的低工作电压，力旺的RRAM将成为主流技术平台上最具成本效益的eFlash解决方案，并可扩展至更多制程节点。」

联电技术开发部??总经理徐世杰表示：「随着AIoT应用不断地拓展，市场对低功耗非挥发性记忆体的需求逐渐增加。力旺电子的IP成功的在联电22奈米RRAM平台完成验证，为客户在开发下一代产品时提供更强大的记忆体解决方案。联电致力於提供多元和差异化的特殊制程技术，我们很高兴与力旺电子合作，持续强化AIoT与车用市场的嵌入式记忆体方案。」

力旺电子的RRAM IP具有一万次覆写能力和长达10年的数据保留，并可承受高达105度的高温。这款RRAM IP设计具备友善的介面、完整的使用者模式和测试模式，并可在0.8V/2.5V标称双电压接囗下进行编程。RRAM不需对前端制程做额外调整，并采用低温後端制程，几??不会产生额外的热预算。