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CEA-Leti首次展示22奈米FD-SOI節點 重新定位鐵電記憶體 (2024.12.11)
CEA-Leti工程師在IEDM論壇中首次展示了基於鉿鋯鐵電材料的可擴展電容平台，並將其整合到22奈米FD-SOI技術節點的後端製程(BEOL)中。這項突破性的成果代表了鐵電記憶體技術的重大進展，顯著提升了嵌入式應用程式的可擴展性，並將鐵電RAM (FeRAM)定位為先進節點的競爭性記憶體解決方案 |
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imec採用High-NA EUV技術 展示邏輯與DRAM架構 (2024.08.11)
比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發表了曝光後的圖形化元件結構 |
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聯電公佈第二季營運績效成長 再推動產能利用率提升 (2024.07.31)
聯華電子今(31)日公佈2024年第二季營運報告，合併營收為新台幣568億元，較上季的546.3億元成長4%。與去年同期相比，本季的合併營收成長0.9%。第二季毛利率達到35.2%。聯電共同總經理王石表示，「受惠於消費性產品市場需求的顯著增長，聯電第二季的晶圓出貨量較前一季成長2.6%，產能利用率提升至68% |
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聯電首推22eHV平台促進下世代智慧型手機顯示器應用 (2024.06.21)
聯華電子新推出22奈米嵌入式高壓（eHV）技術平台，為先進的顯示器驅動晶片解決方案，推動未來高階智慧型手機和移動裝置顯示器的發展。22eHV平台具有電源高效能，，協助客戶開發體積更小、效能更高的顯示器驅動晶片，為行動裝置製造商提高產品電池壽命，同時提供最佳化的視覺體驗 |
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imec展示56Gb波束成形發射機 實現高功率零中頻的D頻段傳輸 (2024.06.19)
於本周舉行的國際電機電子工程師學會（IEEE）射頻積體電路國際會議（RFIC Symposium）上，比利時微電子研究中心（imec）發表了一款基於CMOS技術的先進波束成形發射機，用來滿足D頻段的無線傳輸應用 |
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獨創低功耗UWB接收器 具10倍抗擾力排除Wi-Fi與後5G訊號 (2024.02.21)
於本周舉行的國際固態電路會議（ISSCC）上，比利時微電子研究中心（imec）發表了一款獨特的低功耗超寬頻（UWB）接收器；與現有的先進UWB裝置相較，該晶片的抗擾性能提升10倍，有效抵擋來自Wi-Fi和5G（以後的）訊號 |
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群聯全系列UFS儲存方案建構行動儲存高效能 (2024.01.29)
群聯電子 (Phison)推出全系列UFS晶片(PS8325、PS8327、PS8329、PS8361)，涵蓋入門、中階到旗艦款手機，打造行動儲存高效能，全面升級UFS產品線的競爭力。
隨著5G入門款手機機種的儲存裝置逐漸從eMMC轉換到UFS 2.2儲存裝置，甚至4G手機旗艦機種也開始採用UFS 2.2規格 |
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聯電第三季營運受惠於電腦及通訊需求 22/28奈米營收占比達32% (2023.10.25)
聯華電子今(25)日公佈2023年第三季營運報告，合併營收為新台幣570.7億元，較上季的563億元成長1.4%。與2022年第三季的753.9億元相比，本季合併營收減少24.3%。第三季毛利率為35.9% |
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力旺和聯電合作22奈米RRAM可靠度驗證 對應AIoT與行動通訊市場 (2023.03.28)
力旺電子與聯華電子今（28）日宣布，力旺的可變電阻式記憶體（RRAM）矽智財已通過聯電22奈米超低功耗的可靠度驗證，為聯電的AIoT與行動通訊應用平台提供更多元的嵌入式記憶體解決方案 |
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聯電推出28奈米嵌入式高壓製程 適用手機、VR/AR顯示器 (2023.03.02)
聯華電子今（2）日發佈28奈米嵌入式高壓（eHV）製程之最新加強版28eHV+平台。28eHV+平台為下一代智慧手機、VR/AR設備及物聯網適用的最佳化顯示器驅動IC解決方案。
相較於聯電現有的28奈米eHV製程，新的28eHV+解決方案可在不影響圖像畫質或資料速率的前提下，降低耗能可達到15% |
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台灣團隊創新研發佳績 2023 ISSCC入選23篇論文搶先發表 (2022.11.15)
國際固態電路研討會（International Solid-State Circuits Conference；ISSCC）向來有IC設計領域奧林匹克大會之稱，將於2023年2月19日至23日在美國舊金山舉行。台灣共有23篇論文入選，不僅較2022年多8篇獲選，同時創下近五年來獲選論文數量最多的佳績！展現台灣先進半導體與固態電路領域技術研發的實力斐然 |
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聯電攜手Avalanche 推出航太用高密度P-SRAM裝置 (2022.09.13)
半導體晶圓廠商聯華電子與專精於MRAM技術的創新公司 Avalanche Technology於今（13）日推出具有高可靠度的持續性靜態隨機存取記憶體（Persistent Static Random Access Memory；P-SRAM） |
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工業儲存技術再進化！ (2022.08.26)
近年來，半導體先進製程微縮趨勢帶動下，加上AI人工智慧、5G與AIoT等科技加速推進，3C設備、智慧家電、智慧汽車、智慧城市到國防航太等領域都可以應用大量晶片記錄海量數據 |
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關於台積電的2奈米製程，我們該注意什麼？ (2022.07.29)
台積在6月底正式宣布了他們的2nm技術藍圖，有什麼重要性？又會帶出哪些半導體製造技術的風向球？本文就從技術演進，以及市場競爭與成本的角度來切入分析。 |
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高通為新一代穿戴式連網裝置推出Snapdragon W5+和W5平台 (2022.07.20)
高通技術公司今日發表旗下頂級穿戴式裝置平台系列最新產品Snapdragon W5+Gen 1和Snapdragon W5 Gen 1。兩個全新平台專為新一代穿戴式連網裝置設計，具備超低功耗和前所未有的效能，同時著重帶來持久的電池續航力、頂級的使用者體驗和時尚創新的設計 |
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工研院攜手台積、陽明交大 在VLSI發表頂尖磁性記憶體技術 (2022.06.15)
工研院在今（15）日宣布，與台積電合作開發世界前瞻的自旋軌道扭矩磁性記憶體（Spin Orbit Torque Magnetoresistive Random Access Memory；SOT-MRAM）陣列晶片；另外，工研院也攜手國立陽明交通大學，研發出工作溫度橫跨近400度之新興磁性記憶體技術 |
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車用晶片供需2023年見真章！ (2022.03.29)
由於設備建置與認證需要至少約一年的時間，產能最快2023年開出。因此，2022年車用晶片雖然不若2021年吃緊，供需恢復正常最快也要等到2023年。 |
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聯電宣布在新加坡設立22奈米新廠 (2022.03.01)
聯華電子宣布，董事會通過在新加坡Fab12i廠區擴建一座嶄新的先進晶圓廠計畫。新廠第一期的月產能規劃為30,000片晶圓，預計於2024年底開始量產。
聯電這座新廠(Fab12i P3)是新加坡最先進的半導體晶圓代工廠之一，提供22/28奈米製程，總投資金額為50億美元 |
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M31科技推出基於Arm架構的AI處理器核心設計套件 (2021.12.20)
M31 Technology近日宣佈其採用Arm技術架構，已成功開發針對機器學習與人工智慧應用的Arm處理器IP，包含Arm Cortex-M55 處理器及Arm Ethos-U55（NPU），實現晶片內(on-chip)處理器IP核心實作的最佳化，能協助先進處理器核心達到最大效能、縮小面積並降低功耗，同時減少50% 自行整合時間 |
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力旺攜手聯電推出新興非揮發記憶體ReRAM矽智財 (2021.11.04)
力旺電子與聯電(UMC)今日宣布，力旺電子的可變電阻式記憶體（ReRAM）矽智財已成功通過聯電40奈米認證，支援消費性與工業規格之應用。
力旺電子的ReRAM矽智財於聯電40奈米製程驗證成功，充分顯示力旺不但在傳統非揮發記憶體矽智財產品線穩居領先地位，也在新興非揮發記憶體技術研發佈局有成 |
