随着生成式人工智慧（Generative AI, GenAI）与边缘运算的快速发展，全球对高效能、高容量储存技术的需求急速攀升。虽然GPU与DRAM常被视为推动AI发展的核心，3D NAND技术凭藉其优异的储存密度、可靠性与能源效率，成为支撑AI应用的关键基石，默默扮演着「隐形推手」的角色。

在AI技术的蓬勃发展下，生成式AI模型的运算量与数据规模急遽扩增，储存装置必须能有效处理庞大的数据存取与运算需求。3D NAND凭藉其高容量与高速存取特性，有效加速数据处理，提升AI推论与即时运算效能，为智慧型手机、自驾车、企业伺服器等市场提供不可或缺的支援。

根据Counterpoint Research的最新报告，全球3D NAND市场规模将从2023年的400亿美元，成长至2030年的930亿美元。这一惊人的增长反映出3D NAND在生成式AI、边缘运算及高效能储存应用中的关键角色。

随着AI时代的来临，储存技术面临更高层数与密度的挑战。为满足未来AI装置的需求，业界正积极推动3D NAND技术的革新。Lam Research引领3D NAND制程技术的突破，透过低温蚀刻技术（Cryogenic Etching），有效解决1000层3D NAND制造的技术难题。

边缘运算为AI技术的落地应用提供了即时性与效率的保障，然而，边缘AI所需的储存装置必须同时达成高密度、高速存取、低成本与可靠性的平衡。

Counterpoint Research共同创办人Neil Shah表示：「随着AI应用日趋复杂，3D NAND在边缘AI领域的重要性将持续攀升。制造商必须不断追求技术创新，特别是应对1000层NAND技术的挑战，以满足日益增长的数据需求。」

在追求技术创新的同时，永续发展亦成为半导体产业的重要目标。Lam Research最新的Cryo 3.0化学配方，不仅显着降低了制程的能源消耗，还有效减少温室气体排放，为半导体制程树立了新标竿。