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英飞凌将嵌入式Flash制程技术授权IBM
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2008年01月08日 星期二

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英飞凌(Infineon)宣布,将授权130奈米制程嵌入式闪存芯片制造技术给IBM。IBM也预计将会在未来相关产品中使用该制程技术,并提供相关服务。此系列芯片将会在IBM北美晶圆厂制造。

英飞凌的130奈米嵌入式闪存技术早在2006年就已经进入量产阶段。主要应用于使用微控制器芯片的智能卡自动系统中。根据计划,IBM将会在其位于北美vermont的8吋晶圆厂投产,预计在2008年下半年进入量产阶段。

英飞凌是全球第一家运用130奈米制程,实现嵌入式闪存产品量产的半导体制造商,拥有AODO-NG家族32位闪存微控制器TC1796和TC1766。这是专为轻型车辆、卡车和摩托车的引擎与变速箱控制系统而设计,能够帮助车辆改进性能、可靠性与安全性,并降低油耗与排放。

据统计,欧洲每两辆、全球每三辆汽车中就有一辆配备了英飞凌柴油或汽油引擎控制芯片。这些芯片用于控制喷油、点火、LAMBDA和废气再循环等。

透过这项合作,英飞凌可发挥其制造IP的价值,获得了新的量产制造伙伴,并加强了我们与长期伙伴之间的工作关系。英飞凌汽车、工业与多市场业务部主管PeterBauer表示。

IBM全球工程解决方案部门的半导体副总裁SteveLongoria表示,透过与英飞凌合作,我们拓宽了自己的半导体产品范围。英飞凌是嵌入式闪存技术领域中的领先厂商。这项许可协议利用了我们现有的技术基础,而且补足了我们的仿真与混合信号专门技术。

据了解,该计划将在2008年下半年推出初步设计工具进行上述制程的整合与验证,目前已开始在IBM位于Burlington的8吋晶圆厂进行。

關鍵字: Flash  Infineon  IBM  闪存 
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