Power Integrations发表了InnoSwitch3系列??压/??流离线反激式开关电源IC的新成员。新的IC可在整个负载范围内提供95%的高效率，并且在密闭适配器内不使用散热片的情况下，可提供100 W的功率输出。这一突破性的性能提升，源自於该公司内部所开发的高压氮化??（GaN）开关技术。

图右为PI训练总监Andy Smith 、左为PI应用工程经理Kenny Wu

准谐振模式的InnoSwitch3-CP、InnoSwitch3-EP和InnoSwitch3-Pro IC在一个表面贴装封装内整合了初级电路、次级电路和回??电路。在新发表的系列元件中，氮化??开关替换了IC初级的常规高压矽电晶体，这可以降低电流流动期间的传导损耗，并极大降低工作时的开关损耗。这最终有助於大幅降低电源的能耗，进而提高效率，使体积更小的InSOP-24D封装提供更大的输出功率。

新IC无需周边元件，即可提供精确的??压/??流/??功率，并轻松与接快充协定介面IC协同工作，因此适用於高效率反激式设计，例如行动设备、机上盒、显示器、家电、网路设备和游戏机的USB-PD和大电流充电器/适配器。InnoSwitch3-CP和InnoSwitch3-EP的电源特性可以通过改变硬体叁数的方式进行配置，而InnoSwitch-Pro整合先进的数位介面，可通过软体实现对恒压和恒流的设置点、异常处理以及安全模式选项的控制。

事实上，在实现高效率和小尺寸方面，氮化??是一项明显优於矽技术的关键技术。Power Integrations预计众多电源应用会从矽电晶体快速转换为氮化??。自从PI在18个月之前推出矽技术新元件以来，InnoSwitch3已成为离线开关电源IC市场当之无愧的技术先行者，随着PI的反激式产品在效率和功率能力的提高，新的氮化??IC将进一步巩固PI的优势地位。