根据Silicon Strategies日前报导指出，Micron Technology计划在今年底前推出NAND flash内存产品，首批产品将以2-Gbit NAND内存为主，并将被置入记忆卡与其他大量储存应用产品中，产品最初采用90奈米制程技术，往后将慢慢进展到72奈米与58奈米制程。

Micron表示希望透过在制造方面的专长、先进的程序、产品技术与资本投资，能助其在进入这个市场后成为前三大供货商。Micron未来将积极努力打开NAND市场，未来的产品将包括容量高达16-Gbit的组件，并希望能尽快提高产量以满足市场的需求。在今年年初，Micron就曾经公开表示将在11月底前完成90耐米的2Gbit组件设计，并且tape out。

Micron的组件如果采用的是floating gate方式，则Micron必须先解决关于知识产权的问题，目前相关IP是由Toshiba控制。稍早之前Infineon与FASL（Fujitsu AMD Semiconductor）为了避开有关授权的问题而决定采用另外一个技术NROM，这个技术是由以色列的Saifun公司所开发，而Renesas则是自行开发assist-gate AND技术。

根据Gartner的预估，2005年NAND flash市场规模将达到50亿美元，2008年的产值更可望进一步成长到100亿美元。这个市场目前由Samsung与Toshiba所主宰，另外Renesas也是重要的供货商。目前多家业者刚踏入NAND市场，或者计划跨足此一领域，包括Intel、STMicroelectronics/Hynix、Infineon、力晶与FASL等。