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恒忆与海力士将延长5年NAND Flash合作计划
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2008年08月19日 星期二

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恒忆(Numonyx B.V.)和海力士半导体(Hynix Semiconductor)日前宣布,将延长两公司在NAND闪存升级产品和技术开发的合作计划。据了解,两公司未来将扩大NAND闪存产品和技术的合作开发范围,并将为加快开发速度而进行经营资源的一体化。

同时,两公司还宣布将进行手机用移动DRAM的合作。将合作开发多芯片封装(MCP)中,与非挥发性内存同时配备的行动DRAM。目前,两公司正在中国进行使用12吋晶圆生产低耗电移动DRAM的合作。透过这项合作,两公司将提供成本更低、耗电更少的MCP产品。

恒忆总裁兼首席执行官Brian Harrison表示,「凭借与海力士半导体的专业技术互补,将会提高我们在无线领域NAND闪存的竞争力。」据了解,海力士半导体于2008年4月曾推出了符合LPDDR2(低功耗DDR2)规格的1GB行动DRAM。

關鍵字: NAND  Flash  恆憶  Hynix  闪存 
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