上海中芯国际集成电路召开法人说明会并公布第二季财报，并与以色列非挥发性内存技术开发厂商Saifun签约，技转Saifun特有的NROM技术供中芯生产闪存。中芯将以此技术为基础，未来闪存亦将成为继DRAM之后，中芯晶圆生产线填充产能的另一选择。

中芯营运长Marco Mora表示，中芯过去以DRAM做为景气低迷时的产能填补产品，策略运用在半导体产业间堪称成功，因此也为中芯更先进制程晶圆厂物色合适的产能填补产品。因Saifun的NROM组件技术是以逻辑制程为基础，中芯认为对未来填充高阶产能极为适合。

Saifun是由总部位于以色列的闪存技术开发公司，台湾的旺宏电子与其合作多年，旺宏以Saifun技术为基础，开发出「多值型内存(Multi Level Cell，MLC)」产品，功能近似NAND闪存，但个内存细胞（cell）可储存四位数据，在成本效益上更具优势。