光与电，在电子系统里一直被视为两个独立分开的元件功能。而来自台湾师范大学光电工程研究所的跨国研究团队，却打破了这个疆界，他们发现了透过整合可变电阻式记忆体（RRAM）和量子点钙钛矿，成功实现了一种同时具备储存与发光功能的电子元件，为科技应用开启了新的视野。

台师大团队研发出可发光记忆体技术

这个研究团队是由科技部基础科学研究计画所支持，由国立台湾师范大学光电工程研究所李亚儒与张俊杰教授，以及日本九州大学材料化学与工程研究所玉田熏（Kaoru Tamada）特聘教授，跨国组成的研究团队。

RRAM为电阻式记忆体，是一种运用高电阻和低电阻状态之间切换的材料，用以表示1和0的位元数据。然而RRAM需要透过先检查电阻状态，来读取0和1的数值，因此限制整体储存速度。虽然有研究将RRAM与LED结合，成为发光记忆体，让数据额外进行光学读写，以改善效能。但RRAM与LED是两个独立元件，要整合并不容易。

而台师大的团队则透过使用钙钛矿材料，成功突破了整合的瓶颈。

李亚儒教授表示，团队使用由溴化铯铅（CsPbBr3）组成的钙钛矿量子点，可在钙钛矿RRAM元件中，以电子方式进行数据写入、删除和读取。同时，第二个作为钙钛矿LEC的元件，则具高速光学传输特性，可透过发光方式写入或是删除数据。

至于如何呈现不同状态的光谱，李亚儒教授指出，他们在发光记忆体元件中使用两种不同尺寸的钙钛矿量子点，藉由量子局限效应改变发光波长，来即时判读发光记忆体是处于1或0的记忆状态。

李亚儒教授强调，这个技术只需使用单一种钙钛矿半导体，作为两个独立元件的基础材料，可以大幅简化制程，同时也易与其他的半导体元件进行系统整合，大大提高了实用性。

在耐用性方面，李亚儒教授解释，团队选用溴化铯铅化合物，除了能在常温下来运作，同时也具备很好的耐用度。但因为使用了铅，因此也衍生了一些环保的考量。至于实际的记忆体元件的读取寿命，则有赖业者商品化才能得知，但在实验室测试皆能达成目标。

整合了光与电的元件究竟可以用在哪里？李亚儒教授表示，在应用领域上，未来将可望用于群播网状网路（Mesh），或者是高阶数据加密系统中。目前研究团队也正在着手第二阶段的研究，也就是希望反过来运作，也就是以光照来进行资料的写入。