日本半导体大厂日立与三菱合资之瑞萨半导体（Renesas）日前宣布将应用于数字相机和移动电话的1Gb闪存芯片，委托台湾力晶半导体代工，以提高产量；瑞萨表示，力晶将于2004年4～9月开始量产高容量的AND型闪存。

据路透社报导，尽管全球规模有22.5亿美元的闪存市场，可说是日本东芝与韩国三星电子两家大厂的天下，但瑞萨希有信心以其AND技术来拓展市占率。AND是类似NAND型的闪存技术；瑞萨表示，该公司的1Gb AND型闪存能够储存逾100个高分辨率静止图片，数据抹除与写入的速度亦胜于NAND型闪存。

瑞萨发言人表示，该公司将于9月开始在旗下Trecenti Technologies所使用的工厂生产1Gb的闪存芯片；目前公司每月生产180万颗1Gb闪存芯片，而在2004年4月开始的会计年度期间，瑞萨打算提高月产量至500万颗。

目前东芝每月可生产215万颗1Gb闪存芯片，而该公司预计于2004年3月推出2Gb的NAND闪存芯片，瑞萨则紧追在后计划在2004～2005年间开始量产4Gb的产品，并在预计于2006～2007年底前量产8Gb产品。