针对业界认为半导体CMOS制程（Complementary Metal-Oxide Semiconductor；互补性金氧半导体）发展已达极限的质疑，半导体大厂英特尔（Intel）科技策略主管暨半导体ITRS主席Paolo Gargini日前在Semicon West中发表专题演讲指出，CMOS制程科技寿命应还有20年。

据外电报导，具备省电、低成本与制程可重复性等优点的CMOS技术，自1970年代以来成为IC主流制程，并在成熟度上遥遥领先其他技术；但当前半导体产业制程技术纷纷开始向12吋晶圆与90奈米制程发展，业界质疑CMOS难以抵挡物理学之尺寸极限。

但Gargini指出，说CMOS半导体技术已面临极限仍嫌太早，在英特尔的规划当中，后CMOS半导体时代（post-CMOS semiconductor era）至少要等到2020年以后才有可能，在此同时，CMOS亦将与其他半导体技术同时并存。据报导，英特尔估计到2030年进入1.6奈米制程。