DRAMeXchange指数(DRAM总产值综合指数)于本月份7号到13号，由3007下降至3000，反映DDR与DDR2现货市场的价格均微幅走跌。现货市场方面，DRAM价格买气不振，DDR 256Mb (32Mb*8) UTT价格维持在1.79美元并无太大变化。DDR 256Mb (32Mb*8) 400MHz价格微幅下滑至2.08美元。至于DDR2部分现货市场需求依旧疲弱，由于许多模块厂DDR2库存回补完毕后并无新增加的买盘，而在现货市场主流需求仍在DDR颗粒，DDR2在计算机系统厂商停止在现货市场收货后，价格自3月初开始微幅下滑，DDR2 533MHz 512Mb (64Mb*8)价格于由5.09美元下跌至5.04美元。而在NAND Flash市场部份，NAND Flash现货市场总的需求仍旧匮乏，随着越来越多的NAND Flash货源流入现货市场，价格持续下滑并集中在1Gb至4Gb，下滑幅度为5-8%；8Gb至16Gb NAND Flash现货价的下滑趋向平缓，下滑幅度仅为1-2%。

回顾DRAM现货价过去三个月走势，DDR 256Mb 32Mbx8于去年12月初，价格即在需求增强下，由2美元上涨15%，至1月中旬，价格达高点2.33美元后，价格反转而下，下跌近11%，至今的2.08美元。同时期，DDR 256Mb 32Mbx8 eTT(UTT)价格则由1.8美元，上涨近27%，至1月中旬，价格达高点2.3美元，几乎与品牌颗粒同价位，之后价格于1月中旬反转而下，下跌近22%，再回到1.8美元。历史经验显示，DDR颗粒的底部即将浮现，然而即使电子传统淡季-第二季即将到来，DDR的向下跌幅预估不会超过10%，即会开始整理打底蓄势向上。

展望第二季的合约价与现货价格走势，DRAMeXchange表示，淡季效应虽会使价格有下跌压力，但今年第二季价格下跌幅度应不若去年第二季跌幅来的大。在三星(Samsung)持续增加Mobile RAM，Graphic memory比重下，commodity DRAM的产出成长将受限，Hynix则于淡季来临时，进行DRAM设备迁往中国无锡厂，使其第二季产出成长可能呈负成长10%QoQ。Micron则将重心转往NAND Flash， commodity DRAM比重在其产品组合中将进一步下降。因此，DRAMeXchange进一步指出：第二季DRAM价格跌幅QoQ应不会超过20%；以DDR2 512MB模块为例，第一季合约价均价估计为38.8美元，换算为DDR2 512Mb颗粒价格为4.6美元，第二季512MB模块均价应不会低于31美元，以DDR2 512Mb来说，均价预估不会低于3.7美元。

另外，目前闪存卡和UFD(USB Flash Drive)制造商都在寻找容量1GB及2GB，相对使得8Gb和16Gb的颗粒倍受关注。相对于欧洲和美国的市场，中国大陆、台湾和韩国地区对这些产品的需求更为强劲。然而，每笔订单所需数量依然呈现散单的状况偏多。因此，此需求仍不足以提供一个强大的力量来改变目前的供需状况。