摩托羅拉、飛利浦與意法半導體公司聯合推出90奈米 (0.09微米) CMOS 設計平臺，從而使得設計人員能夠針對低功率、無線、網路、消費性及高速應用系統，展開下一代系統階級晶片(SoC)產品開發。三家公司聯合開發的新型90奈米CMOS設計平臺，充分利用了90奈米工藝技術的多重特性和模組化性能。其特別之處，在於設計時可選擇多個基於閾值的庫元素，並可用於相同的設計模組，從而為平臺用戶提供極大的靈活性使其性能最佳化並減少功率耗損。此一功能也利於加速開發應用於高性能低功率敏感的產品晶片。

飛利浦半導體公司首席技術長Theo Claasen先生表示，「此款新型設計平臺的推出讓我們處在90奈米節點技術的領先地位。這一新技術的應用，讓我們為客戶提供世界上最先進的、能實現高效製造的CMOS技術。我們的資料庫及設計模組IP系列可與第三方IP結合使用，提供前所未有的矽系統方案，讓消費者輕鬆的查詢資訊、享受娛樂和其他各種服務。」

飛利浦表示，今年年初，摩托羅拉、意法半導體三家公司宣佈建立聯盟關係，在位於法國Crolles市的最新研究與開發中心，共同開發創新的半導體技術。此次重大的早期技術突破明確表明了聯盟的成功。

摩托羅拉半導體產品部技術及製造總經理兼企業副總裁Chris Belden先生表示，「摩托羅拉、飛利浦與ST聯盟的強大開發能力及豐富經驗帶入市場，並證實我們計畫今年年底前推出首個採用90奈米技術的300毫米矽方案的可行性。三家公司大量的知識產權資源都投入到聯盟計畫中。共用庫的潛在優勢在於比目前更快的產品上市速度，以及為客戶帶來的強大競爭優勢上。」

意法半導體公司副總裁兼中心研究與開發總監Joel Monnier先生表示，「ST的外部客戶可立即使用這一新型庫平臺，事實上，ST的產品開發部集團早已採用該平臺用來創建複雜的系統階級晶片應用要求的獨特設計模組。該平臺提前供應給設計人員，對三方聯盟而言，是一個重要的時刻。證實了我們合作的初步成功，並向市場表明我們致力於引領90奈米CMOS技術的承諾。」

飛利浦表示，全套庫平臺包括：兩個標準的單元庫，已經按照一個針對性能進行最佳化，另一個針對和密度進行最佳化，提供超過1000個以上可選單元，、密度超過每平方毫米400K門的豐富選擇。 支援1.0V或1.2V核心電壓源，金屬間距0.28μm，6-9個金屬電路由層。每個單元庫都支援被賦予多個Vt選擇變量；備有1.8V、2.5V及3.3V I/O 全套單元；高密度嵌入記憶體，包括6T-SRAM，可實現（密度達每百萬位元1.6至1.2平方毫米）的密度，雙埠，暫存文件和ROM編譯程式；一種完全面相容的低成本工藝變量，允許高達32MB的嵌入DRAM，密度為每百萬位元0.5平方毫米。

除了初期提供的上述產品外，後續產品包括SOI (Silicon-on-Insulator) 型版和高性能整合無源設備等都將在短期內上市。目前，一個來回多重專案範本標線服務 (shuttle multi-project reticle service) 已經問市，該服務具有較短的循環週期，大幅降低小批量晶片的NRE費用，進而實現低成本原型製作。90奈米設計平臺獲得業界流行的CAD工具的全面支持，這些CAD工具來自是由 Cadence、Mentor Graphics及Synopsys聯合研發的，透過與它們的借助與各自研究與開發小組集團合作而開發出的設計解決方案來實現支持功能。