受惠於國內四大DRAM廠90奈米新製程產能開始於十月起大量開出，以及東芝、新帝（SanDisk）又大量釋出NAND快閃記憶體封測訂單來台，後段封測廠矽品、力成、泰林、南茂等業者，第四季記憶體封測產能已全面告急。由於記憶體廠明年首季後仍會新產能陸續開出，配合韓國DRAM大廠Hynix又開始擴大委外代工訂單，封測廠已開始下單採購設備，迎接第四季傳統旺季到來。

國內DRAM廠七月起開始大量將主流製程由0.11微米轉入90奈米，新製程產能已開始於九月底陸續開出，十月後將有逾半產出是採用新製程。由於90奈米新製程初期需要較長時間的測試，單片晶圓產出顆粒又較0.11微米增加30％，所以封裝測試廠已接獲上游DRAM廠通知，要求配合擴增後段封測產能。

同時，東芝及新帝亦開始增加NAND封測委外訂單來台。二家合資的東芝四日市十二吋廠第三製造棟原訂今年底月產能為4萬7500片，但為了擴大市佔率，月產能已提高至7萬片，並開始以70奈米新製程量產。所以為東芝代工的力成、為新帝代工的矽品等二家業者，現在同樣面臨封測產能不足問題，不得不開始加碼採購設備擴產。

設備業者指出，原本封測廠端下半年並沒有太積極的擴產計劃，但沒想到DRAM價格在八月中旬開始大漲，NAND價格亦在九月止跌，不但減輕了封測價格下跌壓力，上游客戶端持續以新製程開出產能，對測試產能需求更為強勁，因此封測廠第三季停滯的擴產計劃，又於近期重新啟動，矽品、力成、泰林、南茂等業者，都有擴增封裝測試設備的動作。

在NAND快閃記憶體部份，東芝及新帝明年將開始把主流製程由70奈米移轉到56奈米，不但單片晶圓產出量增加超過三成，測試時間亦要拉長，加上東芝及新帝亦決定興建第四製造棟，明年底月產能為2500片，2008年底月產能達6萬7500片，所以光是二家業者委外訂單，就夠力成及矽品接單滿到後年。