DRAMeXchange指數(DRAM總產值綜合指數)於本月份7號到13號，由3007下降至3000，反映DDR與DDR2現貨市場的價格均微幅走跌。現貨市場方面，DRAM價格買氣不振，DDR 256Mb (32Mb*8) UTT價格維持在1.79美元並無太大變化。DDR 256Mb (32Mb*8) 400MHz價格微幅下滑至2.08美元。至於DDR2部分現貨市場需求依舊疲弱，由於許多模組廠DDR2庫存回補完畢後並無新增加的買盤，而在現貨市場主流需求仍在DDR顆粒，DDR2在電腦系統廠商停止在現貨市場收貨後，價格自3月初開始微幅下滑，DDR2 533MHz 512Mb (64Mb*8)價格於由5.09美元下跌至5.04美元。而在NAND Flash市場部份，NAND Flash現貨市場總的需求仍舊匱乏，隨著越來越多的NAND Flash貨源流入現貨市場，價格持續下滑並集中在1Gb至4Gb，下滑幅度為5-8%；8Gb至16Gb NAND Flash現貨價的下滑趨向平緩，下滑幅度僅為1-2%。

回顧DRAM現貨價過去三個月走勢，DDR 256Mb 32Mbx8於去年12月初，價格即在需求增強下，由2美元上漲15%，至1月中旬，價格達高點2.33美元後，價格反轉而下，下跌近11%，至今的2.08美元。同時期，DDR 256Mb 32Mbx8 eTT(UTT)價格則由1.8美元，上漲近27%，至1月中旬，價格達高點2.3美元，幾乎與品牌顆粒同價位，之後價格於1月中旬反轉而下，下跌近22%，再回到1.8美元。歷史經驗顯示，DDR顆粒的底部即將浮現，然而即使電子傳統淡季-第二季即將到來，DDR的向下跌幅預估不會超過10%，即會開始整理打底蓄勢向上。

展望第二季的合約價與現貨價格走勢，DRAMeXchange表示，淡季效應雖會使價格有下跌壓力，但今年第二季價格下跌幅度應不若去年第二季跌幅來的大。在三星(Samsung)持續增加Mobile RAM，Graphic memory比重下，commodity DRAM的產出成長將受限，Hynix則於淡季來臨時，進行DRAM設備遷往中國無錫廠，使其第二季產出成長可能呈負成長10%QoQ。Micron則將重心轉往NAND Flash， commodity DRAM比重在其產品組合中將進一步下降。因此，DRAMeXchange進一步指出：第二季DRAM價格跌幅QoQ應不會超過20%；以DDR2 512MB模組為例，第一季合約價均價估計為38.8美元，換算為DDR2 512Mb顆粒價格為4.6美元，第二季512MB模組均價應不會低於31美元，以DDR2 512Mb來說，均價預估不會低於3.7美元。

另外，目前快閃記憶體卡和UFD(USB Flash Drive)製造商都在尋找容量1GB及2GB，相對使得8Gb和16Gb的顆粒倍受關注。相對於歐洲和美國的市場，中國大陸、臺灣和韓國地區對這些產品的需求更為強勁。然而，每筆訂單所需數量依然呈現散單的狀況偏多。因此，此需求仍不足以提供一個強大的力量來改變目前的供需狀況。