根據市調機構iSuppli針對記憶體市場所發布的最新報告，全球DRAM在2005年可望微幅成長，主因是包括256Mb轉512Mb、DDR轉DDR2、0.11微米轉90奈米等世代交替，將使DRAM供給端成長率受制，不至於出現供過於求現象；不過待2006年世代交替告一段落之後，各家DRAM供應商的12吋廠晶圓廠全面量產，將可能出現大幅衰退，並拖累當年全球半導體市場成長。

iSuppli指出，今年第三季全球DRAM市場銷售額僅小幅成長0.7％，遠低於原先所預期的7％，主因就是第三季旺季需求強度疲弱，DRAM廠端出貨量成長11％，導致平均價格卻下跌10％。而此一情況預期在第四季仍會發生，但今年全年DRAM市場仍會較去年大幅成長54.2％，規模約266億6800萬美元。

至於明年展望部份，iSuppli表示，雖然包括三星、爾必達、美光、英飛凌、及台灣的南亞科、力晶、茂德等業者的12吋廠將陸續開始提高投片量，但是因DRAM世代交替問題將影響供給成長，所以2005年全球DRAM市成長率仍有1.3％，達270億美元規模。

此外iSuppli也提出警告，2006年之後一旦DRAM世代交替完成，每家DRAM廠都會以一至二座的12吋廠投入量產，並採用更先進的奈米級製程，產能成長幅度將大幅提高，屆時DRAM市場恐面臨嚴重的供給過剩，並出現15.7％的銷售衰退，且最快要到2008年才會有所反彈。