Power Integrations發表了InnoSwitch3系列恒壓/恒流離線反激式開關電源IC的新成員。新的IC可在整個負載範圍內提供95%的高效率，並且在密閉適配器內不使用散熱片的情況下，可提供100 W的功率輸出。這一突破性的性能提升，源自於該公司內部所開發的高壓氮化鎵（GaN）開關技術。

圖右為PI訓練總監Andy Smith 、左為PI應用工程經理Kenny Wu

准諧振模式的InnoSwitch3-CP、InnoSwitch3-EP和InnoSwitch3-Pro IC在一個表面貼裝封裝內整合了初級電路、次級電路和回饋電路。在新發表的系列元件中，氮化鎵開關替換了IC初級的常規高壓矽電晶體，這可以降低電流流動期間的傳導損耗，並極大降低工作時的開關損耗。這最終有助於大幅降低電源的能耗，進而提高效率，使體積更小的InSOP-24D封裝提供更大的輸出功率。

新IC無需週邊元件，即可提供精確的恒壓/恒流/恒功率，並輕鬆與接快充協定介面IC協同工作，因此適用於高效率反激式設計，例如行動設備、機上盒、顯示器、家電、網路設備和遊戲機的USB-PD和大電流充電器/適配器。InnoSwitch3-CP和InnoSwitch3-EP的電源特性可以通過改變硬體參數的方式進行配置，而InnoSwitch-Pro整合先進的數位介面，可通過軟體實現對恆壓和恆流的設置點、異常處理以及安全模式選項的控制。

事實上，在實現高效率和小尺寸方面，氮化鎵是一項明顯優於矽技術的關鍵技術。Power Integrations預計眾多電源應用會從矽電晶體快速轉換為氮化鎵。自從PI在18個月之前推出矽技術新元件以來，InnoSwitch3已成為離線開關電源IC市場當之無愧的技術先行者，隨著PI的反激式產品在效率和功率能力的提高，新的氮化鎵IC將進一步鞏固PI的優勢地位。