美商晶像、英商安謀、韓國海力士半導體、索尼愛立信行動通訊及法商意法半導體在4月30日宣佈組織工作小組，為新世代記憶體介面技術，建立開放式標準。這項首創的記憶體標準乃針對動態隨機存取記憶體（dynamic random access memory；DRAM），稱為「串列埠記憶體技術」（Serial Port Memory Technology；SPMT），以串列式介面取代現今記憶體裝置所慣用的並列式介面，可讓頻寬更具彈性、減少接腳數及降低耗能需求，並具有多重的連接埠。這項技術將可大幅延長電池使用壽命，同時提供下一代手機常備的高效能多媒體應用，最適合行動手機製造商與消費者。

SPMT工作小組的目標是要定義出一項技術，將接腳數降低至少40％、提供從3.2GBps至12.6GBps以上的頻寬範圍，相較於市面上現有的其他DRAM產品減少50％ 以上的輸入/輸出功率，並在一片SPMT記憶體晶片上，提供單一連接埠或多重連接埠。除了行動手持裝置市場外，這項技術亦符合其他領域的需求。例如可攜式媒體播放器、數位固定式相機，以及掌上型遊戲機。

SPMT工作小組的成員，希望研發出全新技術以迎合製造商日趨增加的需求。加強手持裝置的性能及功能，同時兼具競爭力，甚至降低裝置的系統成本。技術研發是為了回應行動服務供應商對於解決方案的需求，讓他們能以具競爭力的價錢，提供消費者更密集的資料、更多元化的媒體，例如視訊（包括高畫質視訊）、GPS、電動遊戲、網路存取、e-mail、多媒體應用及音樂。SPMT的工作小組成員從2007年第三季就開始舉行會議，並計畫在今年下半年組織正式聯盟，成員包括手持裝置、記憶體及系統單晶片的製造商與半導體IP供應商，預計在2008年底為業界帶來SPMT規格。

iSuppli記憶體分析師Nam Hyung Kim指出：「手持裝置對於更快速、密度更高的DRAM晶片需求正與日俱增，尤其是對多元化媒體功能的要求也越來越高。 這是一個很好的時機去開發DRAM整合串列式技術的介面標準，以達到更高頻寬及減少接腳數，並提供突破目前介面技術的擴充能力。」

英商安謀（ARM）Fabric IP的副總裁暨總經理Keith Clarke指出：「目前系統單晶片的整合等級日增，因此需要通訊網絡及記憶體系統提供更高的頻寬及效能，這項串列式記憶體介面能提供獨特的特性，讓公司更進一步運用這些關鍵的系統零件，使其最佳化。 透過參與此工作小組，我們就能第一時間讓本公司廣大的夥伴網路都可取得這項技術。」

海力士記憶體集團的技術行銷資深副總裁JB Kim表示：「全功能、多元化的媒體行動應用越來越多，所以對更多記憶體的需求也有增加。串列埠記憶體技術正是最合適的解決方案，有效因應這個需求，並能提供全新應用產品所需要的較少接腳數、低耗能、高頻寬。」

LG電子行動通訊開發採購總經理說明：「我們期盼加入SPMT工作小組，協助制定新一代的記憶體介面。若要成功地向客戶推出先進而具競爭力的產品，關鍵是能夠大幅減少針腳數和增加頻寬，同時符合成本」。

晶像公司的記憶體技術產品總經理Jim Venable指出：「隨著DRAM內容不斷在新世代行動裝置上增加，目前的技術已經開始跟不上需求的腳步。在不大幅增加成本的前提下，要達到更大的頻寬、更低耗能以及彈性的設計，則更加困難。 串列埠記憶體技術會改變目前的業界標準，帶來顯著的性能改進，以及更高品質的使用者經驗，就像行動裝置開發者所設計的新產品一樣。」

意法半導體（ST）行動晶片平台部門總監Teppo Hemia表示：「在掌上型產品上推出多媒體應用時，實體體積、接腳、溫度與功率消耗仍是無法破除的障礙。透過產業共同推動記憶體介面技術的標準化，我們預見能夠擴展市場上可用實用產品的行動晶片技術效能，將會有大幅進展」。