IBM和美國羅門哈斯（Rohm and Haas）兩公司將共同開發用於32～22nm製程的CMP（化學機械研磨）技術。據了解，兩公司主要的合作開發技術，在於32～22nm製程下的Cu/低介電率（low-k）絕緣膜的平坦化所需襯墊（Pad）、漿液（Slurry）及調節器（Conditioner）間的相互控制。

此次兩公司共同開發技術將在下列地點進行，包括IBM的Yorktown Heights研發設施、UAlbany NanoCollege、以及位於Delaware的Newark，和Arizona Phoenix的羅門哈斯研發設施。

IBM和羅門哈斯還將共同開發行32nm以下的離子注入技術。為此羅門哈斯表示，將在該公司位於Massachusetts Marlborough的技術中心導入高開口數（NA）的液浸曝光設備。