蔡司（ZEISS）推出次微米解析度3D非破壞性的成像解決方案「蔡司Xradia 620 Versa RepScan」，能透過檢驗與量測功能加速先進IC封裝的上市時程。Xradia 620 Versa RepScan運用3D X-ray顯微鏡（XRM），透過蔡司的遠距高解析（RaaD）技術與精密的分析軟體，能為深埋在最先進封裝內的晶片提供完整的體積與線性量測，此方法遠超過使用物理橫切面、2D X-ray及microCT等既有量測方式所能及。蔡司Xradia 620 Versa RepScan能提供更精準的資料結果，是縮短先進封裝的開發與良率學習週期最有利的機台。

圖右為蔡司半導體製造技術（SMT）資深行銷總監Raleigh Estrada、左為製造技術業務發展總監Thomas Gregorich

蔡司Xradia 620 Versa RepScan支援複雜的小間距3D架構之設計驗證、產品開發、製程最佳化與品保／品管（QA/QC），包含2.5D中介層（Interposer）、具備矽穿孔（TSV）與微凸塊（microbump）的高頻寬記憶體堆疊、層疊封裝（package-on-package）互連及單一堆疊中內含多晶片的超薄記憶體。

3D封裝領域面臨的量測挑戰

在今日，行動與高效裝置對於微縮以及傳輸效能的需求不斷提高，使得業界在高密度多晶片架構的許多創新，而這些設計也帶動封裝技術邁入立體化，使得製程的量測技術成為是否能推出新穎且先進技術的關鍵，而這些技術的製程寬容度（process margin）通常較低或較難被控制。然而，現今先進封裝中因目標物太小，已無法用2D X-ray與microCT這類非破壞性的方法來觀測。此外，物理橫切面除了無法提供3D立體資料之外，還屬於破壞性量測，較為耗時，通常也只能處理少量樣本，就統計層面來說，改進製程控制的成效有限。

在3D封裝的新時代需要新的方法，在可靠的傳輸量下量測深埋在內的互連結構和其他關鍵製程，以加速新產品的上市時程。近十年來，蔡司Xradia Versa 3D XRM系統已成為半導體封裝非破壞性失效分析的標準；如今蔡司Xradia 620 Versa RepScan為Versa平台增添新功能，為深埋在先進封裝內的關鍵晶片提供線性及體積量測功能，造就更好的製程、更快的學習週期及更高的良率。