外電消息報導，英特爾與記憶體商恆憶（Numonyx），於週三（10/28）共同宣佈一項極具突破性的新相變記憶體（PCM）技術。透過這項新技術，將可使非揮發性記憶體具備多種記憶體的特性，並讓開發者在單一晶片上，自由堆疊和組合多層（multiple layers）的PCM記憶體陣列，並可生產出密度更高、更省電、體積更小的記憶體解決方案。

這項技術是英特爾與恆憶在「多層與堆疊PCM記憶體Cell陣列研究」的一項成果，目前該研究小組已可展示垂直整合的記憶體Cell。該技術稱為相變記憶體與開關（phase change memory and switch；PCMS），是在真實交叉點陣列上，以一種新的雙向端點開關（Ovonic Threshold Switch），整合多層的PCM記憶體元件。透過該技術，將可在架構PCMS的堆疊與陣列層時，具備更高的密度，並改善PCM的效能。

英特爾記憶體技術研究經理Al Fazio表示，研究團隊將持續發展改善運算效能的記憶技術，PCMS技術將扮演著拓展記憶體效能的關鍵，特別是在記憶體的架構性與效能上，將帶來更佳的性能。

恆憶資深研究員Greg Atwood表示，這項技術證明了PCM記憶體將具備更高的密度潛能、陣列架構，以及與NAND相似的使用模組。特別是傳統快閃記憶體正面臨了物理極限和可靠性問題，而這項重要的技術突破將為此帶來署光，尤其是行動電話與資料中心對記憶體的需求不斷升高。

關於這項技術的具體內容，英特爾將在今年12月於巴爾迪摩舉行的國際電子設備大會上，發表正式的論文，詳細的介紹這種記憶體架構。