工研院在美國舊金山的2021國際電子元件研討會(2021 IEDM)中，發表可微縮於28奈米以下的鐵電式記憶體，具高微縮性與高可靠度，唯一能同時達到極低操作與待機功耗的要求，未來更可應用在人工智慧、物聯網、汽車電子系統。

經濟部技術處表示，半導體發展趨勢走向製程微縮，低耗能，能突破既有運算限制的下世代記憶體將在未來將扮演更重要角色。為維持臺灣半導體產業的國際競爭力，經濟部技術處持續推動「物聯網尖端半導體計畫」、「AI on chip 計畫」；未來也會投入量子電腦等相關領域技術的研發，支持工研院與產業深耕下世代記憶體關鍵技術，佈局下世代運算關鍵領域。

工研院電子與光電系統所所長吳志毅表示，工研院在下世代記憶體技術上深耕多年，這次發表的鐵電記憶體，除了能同時達到極低操作與待機功耗要求，這次更開發出可微縮於28奈米以下的關鍵技術，與過去只能在65nm以上製程實現的技術，領先了二個製程節點以上，晉升28nm以下先進製程等級的嵌入式記憶體產品，未來可應用智慧手機、智慧車載、AR/VR等AIoT應用。

而這次在IEDM中，工研院也攜手陽明交通大學，發表將記憶體技術應用於退火加速運算的成果，以量子啟發式(meta-heuristic)計算演算法，開發出全球第一顆記憶體內退火加速晶片，較既有運算速度快萬倍，可被視為未來量子電腦的殺手級應用，廣泛應於半導體製程、生醫基因定序、金融商品、物流排程上，加速產業落地與創新。