受到DRAM廠的DDR及DDR2產能調配，以及DRAM大廠的DRAM及NAND快閃記憶體的產能排擠等因素影響，四月以來DRAM現貨價格明顯向上拉高，其中又以DDR價格上漲動力最強，有效測試（eTT）256Mb DDR十八日單日就大漲逾5％收2.35美元。

不過NAND快閃記憶體價格卻持續疲弱，不僅現貨價全面走跌，四月合約價更出現重挫35％以上的崩跌現象。集邦科技表示，DRAM在供給不足市況中，價格仍會漲，NAND則是供給過剩，價格未見止跌跡象。

雖然第二季是傳統個人電腦市場淡季，但是DRAM價格走勢卻是異常強勁，除了英特爾出清舊款865晶片組庫存，刺激DDR市場需求成長外，DRAM廠第一季大量將DDR產能轉向生產DDR2，已在近期造成DDR供給量嚴重吃緊，所以256Mb DDR近二週內漲勢強勁，現貨價已拉高至2.3美元以上，現貨價與合約價間也形成代表景氣多頭的黃金交叉。

未來主流的DDR2，近期來自OEM電腦大廠的需求強勁，但現貨市場的需求卻還未被刺激出來。南亞科技副總經理白培霖說，OEM電腦大廠已大量採用英特爾支援DDR2的新晶片平台，對DDR2的需求量會愈來愈大，但對價格敏感的現貨市場，則要等到中低價位的超微支援DDR2的AM2平台上市後，市場需求才會轉強。由於國內外DRAM廠今年的位元成長率遠低於歷史平均水準，DDR2合約價未來大漲機率很高。

相較於DRAM熱絡市況，NAND快閃記憶體市場卻還身陷價格崩跌的陰霾中。根據集邦科技統計，四月份主流容量的2Gb、4Gb、8Gb NAND快閃記憶體合約價，較三月份大跌逾35％，且合約價平均來看均低於現貨價，出現約二成的價差空間。雖然近來現貨價有持穩跡象，不過在合約價開低後，合約客戶在現貨市場套利的機率大增，現貨價看來還有下跌空間。

集邦科技表示，NAND快閃記憶體合約價大跌，主因在於供應商三星、東芝、Hynix等的90奈米及70奈米良率大幅拉高，導致出貨量在近幾週內大量湧現，供給過剩的激烈競爭，自然會造成價格出現崩跌。

不過隨著日本四月底的黃金週假期、大陸五一長假等假期將至，預計會帶動MP3播放機、數位相機等消費性電子產品銷售量，也會刺激出NAND龐大需求，所以NAND現貨市場交易量能已經開始放大，整個市場景氣應可在第二季築底。