英飞凌科技的科学家打造出了全世界最小的非挥发性闪存单元。这种新内存单元小达20奈米，大约比人的毛发细5,000倍。由于所有制造方面的挑战，包括微影，都能够被解决，所以这种新的发展将在近年内就可能使非挥发性内存芯片有高达32 Gbit 的容量。这种容量是当前市面上的八倍。

英飞凌的研究人员则藉由创造出带有鳍状的三度空间(3D)结构，给相当于记忆单元心脏部分的晶体管使用，从而克服了这种挑战。这种特殊的几何构造把不需要的影响减到最低，而且比起当今的平面晶体管更显著地改善了静电控制。英飞凌这种称之为 FinFET (Fin Field Effect Transistor)的组件，将携带数据的电子储存于一氮化物层〈nitride layer〉中，而该氮化物层在硅质鳍状物与闸电极〈gate electrode〉之间是绝缘的。鳍状物只有8奈米薄，由20奈米宽的闸电极所控制。

FinFET也极端的可靠，而且拥有绝佳的电气特性。例如，当前市面上最先进的内存需要大约1,000个电子才能可靠的记录一个位。这种新的英飞凌记忆单元只需要100个电子；额外的100个电子则用来记录在同一个晶体管中的第二个位。 相较而言，100个电子大约是单一金原子中的电子数量。纵然电荷是如此之低，但是英飞凌慕尼黑实验室的样品却展现出了绝佳的电气特性。