账号:
密码:
最新动态
 
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部报导】   2016年03月17日 星期四

浏览人次:【6780】

配合飞机电气化的发展趋势,美高森美公司(Microsemi)发布一独特且具有专利的全新系列Powermite1 MUPT瞬态电压抑制(transient voltage suppression, TVS)二极体产品。飞机电气化、提高可靠性和燃油效率等市场趋势的发展,带动了市场对具有更高功能性、更轻重量和更小体积,并带有出色瞬态过电压事件保护功能之TVS解决方案的需求;而这系列新产品可充分满足这些市场趋势所带来的需求。

新器件Powermite1 MUPT系列是提供1,000W功率的表面黏着单通道瞬态电压抑制二极体,在航空电子设备、坚固耐用无线电、测试和通讯设备中实现高可靠性功能。
新器件Powermite1 MUPT系列是提供1,000W功率的表面黏着单通道瞬态电压抑制二极体,在航空电子设备、坚固耐用无线电、测试和通讯设备中实现高可靠性功能。

美高森美新型TVS二极体是高度紧凑、表面黏着的单通道1,000W功率器件,具有出色的热处理和功率处理功能,并且可在包括引擎控制单元和致动器控制、配电、环境控制、通讯和仪表系统的航空电子应用中提供更高可靠性的功能。其他应用包括坚固的掌上型无线电、GPS、通讯测试设备、工业日志记录设备、电源,以及船舶和飞机电气系统的电路保护。

美高森美功率离散和模组事业群高级策略行销总监Christophe Warin表示:「飞机电气化的发展日益蓬勃,要掌握此一市场增长所带来的契机,我们的新器件是再合适不过的产品。从全球市场需求的角度来看,我们预估整体的电路保护器件市场可望于2018年达到十亿美元。美高森美作为高可靠性解决方案领域的领导厂商,将继续进行全面的创新产品开发工作,以满足这个行业不断演进的严苛需求。」

美高森美的TVS二极体充分利用该公司在高可靠性TVS技术领域所传承的五十年经验,具有卓越的性能,在电击之后不到数奈秒时间内便可进入雪崩击穿模式,钳制瞬态电压,并且将电流导引至接地,从而为飞机和其他电气系统提供了关键的保护功能。全新Powermite1 MUPT系列还使用了以高温焊接的氧化物钝化(oxide-passivated)晶片,在重复浪涌情况下实现高抗浪涌能力和可以忽略的电气劣化现象,并且提供单向和双向两种配置。

新器件的Powermite封装尺寸小于1 mm × 2 mm2,与采用传统表面黏着装配(SMA)的双引线器件相比,体积大幅缩小三分之一。与尺寸相似的SOT-23器件相比,Powermite器件具有更出色的热处理和功率处理能力。除了尺寸优势之外,Powermite封装还包括一个全金属底部(阳极)侧,避免了在装配中发生助焊剂陷入(entrapment)的可能性,而且其独特的锁定片设计可作为整体散热片之用。其创新的设计让它非常适合与自动插入设备搭配使用。

Powermite1 MUPT系列已经过百分之百的浪涌测试,并且可以提供各种不同“筛选”版本(M、 MA、MXL和MX),已经根据附加筛选测试等级(类似于JANTX 军用等级器件采用的测试)进行筛选,以提升可靠性。这些器件具有5V至48V的电压范围,并且符合潮湿等级1要求,无需IPC/JEDEC J-STD-020B标准所要求的干燥包装(dry pack)。 Powermite1 MUPT器件达到耐受10/1,000微秒脉冲等级,峰值脉冲额定功率在10/1,000微秒下达到150W,在8/20us微秒脉冲下则达到1,000W。

美高森美可为航空电子、国防、工业、汽车和通讯市场中的应用提供广泛的TVS器件的产品组合。在世界各地目前使用中的所有主要商业飞机和军用飞机中,都会采用美高森美的TVS器件来保护其引擎控制、致动器控制、环境控制、配电、通讯和仪表子系统。美高森美提供全部筛选等级的Powermite1 MUPT系列TVS二极体产品。 (编辑部陈复霞整理)

产品特色

‧ 隔绝电压:5V(最大钳制电压为9.5V)至 48V(最大钳制电压为84.3V)

‧ 具有单向和双向极性:

o 阳极至壳体底部(MUPT5e3直至MUPT48e3)

o 双向(MUPTB5e3直至MUPTB48e3)

‧ 单向器件的钳制时间少于100皮秒,双向器件则为 5奈秒

‧ 同时提供符合RoHS标准和非RoHS标准版本

關鍵字: 瞬态电压抑制  二极管  美高森美  Microsemi  系統單晶片 
相关产品
罗姆推出小型PMDE封装二极体 助力应用小型化
英飞凌新款650V EiceDRIVER整合靴带二极体 强化强固性及快速切换
意法半导体推出暂态电压抑制二极体 更小封装带来更强的保护功能
美高森美推出用於资料中心储存的24G SAS扩展器
安富利扩展与微芯科技的合作关系
  相关新闻
» 巴斯夫与Fraunhofer光子微系统研究所共厌 合作研发半导体产业创新方案10年
» 工研院IEK眺??2025年半导体产业 受AI终端驱动产值达6兆元
» ASM携手清大设计半导体制程模拟实验 亮相国科会「科普环岛列车」
» SEMI提4大方针增台湾再生能源竞争力 加强半导体永续硬实力
» 国科会促产创共造算力 主权AI产业专区落地沙仑
  相关文章
» 使用PyANSYS探索及优化设计
» 隔离式封装的优势
» MCU新势力崛起 驱动AIoT未来关键
» 功率半导体元件的主流争霸战
» NanoEdge AI 解决方案协助嵌入式开发应用

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8B235XWY8STACUKK
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw