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IR推出POWIR+芯片组参考设计及网页工具
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2006年06月27日 星期二

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功率半导体和管理方案厂商国际整流器公司(IR)扩大其myPOWER在线设计服务的覆盖范畴,推出POWIR+芯片组参考设计及经过强化的在线设计服务,简化及加快功率管理电路设计。

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首个POWIR+芯片组系列结合了IR3637SPbF和IR3637ASPbF应用调校PWM控制IC,以及其相关、用于计算机运算和高阶消费者应用的单相位同步降压应用之HEXFET MOSFET。IRPP3637-06A、IRPP3637-12A和IRPP3637-18A参考设计分别设有6、12及18安培3种功率水平,在加快设计程序的同时,亦消除了不必要的重复设计步骤。

IR台湾分公司总经理朱文义表示,「IR的POWIR+参考设计采用经小心挑选的的功率半导体、被动组件及以特定功率水平为目标的电感器,并将它们安放于经优化的PCB电路图,提供可预测的电力及散热表现。相比传统的测试电路板,这些参考设计能尽量反映真实电路,为复杂的底电路图、散热设计及装置互动进行优化,提供有建设的结果。」

IRPP3637-06A适用于要求减少面积和组件数目的低电流应用,并透过采用IR最新的IRF8910PbF双SO-8 MOSFET来达致目标。IRPP3637-12A则适合中电流应用,以IR新推出的IR7823PbF及IRF7832ZPbF独立SO-8 MOSFET来提升电力及散热效率。IRPP3637-18A就为需要卓越散热表现,但又侧重成本效益的中至高电流应用设计,并为达到要求而采用IR崭新的IRLR8713PbF和IRLR7843PbF D-Pak MOSFET。

關鍵字: IR  朱文义  其他电源组件 
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