账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
 

【CTIMES/SmartAuto 陳盈佑报导】   2009年08月27日 星期四

浏览人次:【1724】

国际整流器公司(International Rectifier,简称IR) 推出一系列工业认可的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET ,为不断电系统(UPS)反相器、低电压电动工具、ORing应用,以及网络通讯和服务器电源等应用,提供非常低的闸电荷(Qg)。

推出一系列工业认可的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET。
推出一系列工业认可的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET。

这些坚固耐用的MOSFET具备IR最新一代的沟道技术,并且通过非常低的导通电阻(RDS(on))来减少热耗散。此外,新组件超低的闸电荷有助延长不断电系统反相器或电动工具的电池寿命。

IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示,新组件带来成本和效能表现之间最佳的权衡。 另外,新组件借着提供四个等级的RDS(on)和保持Qg在30V的水平,为设计工程师提供灵活性,让他们可以选择最适合的组件,来配合其设计的特定规格和要求。

新款的MOSFET拥有全面表征的崩溃电压和电流。随着IR继续开发这些基准MOSFET,它们将可以作为现有的30V TO-220组件的直接替代品或升级品。

新组件达到工业级别及第一级湿度感应度(MSL1)。这些30V MOSFET采用TO-220封装,全部皆为无铅设计,并符合电子产品有害物质管制规定(RoHS)指令。

關鍵字: MOSFET  IR  潘大伟  电源组件  不斷電系統 
相关产品
英飞凌CoolSiC MOSFET 400 V重新定义 AI 伺服器电源功效
英飞凌针对汽车应用推出最低导通电阻 80 V MOSFET OptiMOS 7
英飞凌新款MOSFET优化高功率密度、效率和系统可靠性
ROHM推出SOT-223-3小型封装600V耐压Super Junction MOSFET
Littelfuse新款800V N沟道耗尽型MOSFET采用改进型SOT-223-2L封装
  相关新闻
» 应材发表新晶片布线技术 实现AI更节能运算
» 工研院51周年「创新引航、共创辉煌」特展 打造日不落产业竞争力
» 工研菁英奖6项金牌技术亮相 创新布局半导体、5G及生医新市场
» SEMICON Taiwan将於9月登场 探索半导体技术赋能AI应用无极限
» 英飞凌在台成立车用无线晶片研发中心 将带动电动车产值逾600亿
  相关文章
» 使用PyANSYS探索及优化设计
» 隔离式封装的优势
» MCU新势力崛起 驱动AIoT未来关键
» 功率半导体元件的主流争霸战
» NanoEdge AI 解决方案协助嵌入式开发应用

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK87IC698GYSTACUKA
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw