Nassda公司於4日正式發表HSIM的1.3版--電子設計自動化(EDA)工業第一個階層式(Hierarchical)全晶片(Full Chip)電路模擬器的最新版本；針對類比電路、混合信號、記憶體及SoC積體電路等的設計者，HSIM提供完全而詳細在電路階層(Circuit Level)上之時序(Timing)及功率以及Signal Integrity Effect分析。在此新版本中更提出新的分析方式及比其他設計工具更好的支援元件。

對於現今半導體技術上因進入奈米製程所產生的大量雜散的電性效應上，HSIM可以解決這些分析電路行為上的關鍵問題。在HSIM推出之前，設計者無法使用一種軟體工具去做分析，而達到所需要的精準度及速度；在已做過的Benchmark，HSIM使用32位元裝有512 Mega RAM的工作站上執行模擬一含有5仟萬個電晶體的網路微處理晶片，約花費了13個小時。透過HSIM被全球設計者熱烈的採用正是反應了HSIM在解決關鍵問題上的能力。

Nassda公司的HSIM，使得在全晶片的模擬分析上，可以有與SPICE比較約僅有的百分之一至二誤差的精準度，且可高出SPICE三到四個數量級（1000至10000倍）的速度。HSIM所使用階層式（Hierarchical）的技術（專利現正申請中）使得電路模擬分析的容量可高達上億個電晶體，並且可適用於Pre-Layout及Post-Layout的電路分析。